1.

国際会議録
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1. CLEANING PROCEDURES FOR UHV CLUSTER-TOOL MOS FABRICATION
Sofield, C.J. ; Murrell, M.P. ; Sugden, S. ; Heyns, M. ; Verhaverbecke, S. ; Welland, M.E. ; Golan, B. ; Barnes, J.
出版情報: Chemical surface preparation, passivation, and cleaning for semiconductor growth and processing : symposium held April 27-29, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.105-112,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 259
2.

国際会議録
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2. SURFACE CHARACTERISATION OF Si AFTER HF TREATMENTS AND ITS INFLUENCE ON THE DIELECTRIC BREAKDOWN OF THERMAL OXIDES
Verhaverbeke, S. ; Alay, J. ; Mertens, P. ; Meuris, M. ; Heyns, M. ; Vandervorst, W. ; Murrell, M. ; Sofield, C.
出版情報: Chemical surface preparation, passivation, and cleaning for semiconductor growth and processing : symposium held April 27-29, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.391-398,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 259
3.

国際会議録
国際会議録
3. Impact of High-k Properties on MOSFET Electrical Characteristics
Pantisano, Ll. ; Ragnarsson, L. -A. ; Houssa, M. ; Degraeve, R. ; Groeseneken, G. ; Schram, T. ; Degendt, S. ; Heyns, M. ; Afanas'ev, V.
出版情報: Defects in high-κ gate dielectric stacks : nano-electronic semiconductor devices.  pp.97-109,  2006.  Dordrecht.  Springer
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 220
4.

国際会議録
国際会議録
4. Influence of the Height Difference between the First and Second Nitride Layer on Erosion and Dishing in the Dual Nitride Approach for Shallow Trench Isolation
Heylen, N. ; Grillaert, J. ; Vrancken, E ; Badenes, G. ; Rooyackers, R. ; Meuris, M. ; Heyns, M.
出版情報: Proceedings of the Second International Symposium on Chemical Mechanical Planariarization [sic] in Integrated Circuit Device Manufacturing.  pp.26-36,  1998.  Pennington, N. J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-7
5.

国際会議録
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5. MODELLING OF CRYSTAL ORIGINATED PARTICLES AND THEIR IMPACT ON GATE OXIDE INTEGRITY
Bearda, T. ; Mertens, P.W. ; Woerlee, P.H. ; Wallinga, H. ; Sebmolke, R. ; Heyns, M.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.528-539,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
6.

国際会議録
国際会議録
6. EVALUATION OF MEGASONIC CLEANING SYSTEMS FOR PARTICLE REMOVAL EFFICIENCY AND DAMAGING
Vereecke, G. ; Holsteyns, F. ; Veltens, J. ; Lux, M. ; Amauts, S. ; Kenis, K. ; Vos, R. ; Mertens, P. ; Heyns, M.
出版情報: Cleaning technology in semiconductor device manufacturing VIII : proceedings of the international symposium.  pp.145-152,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-26
7.

国際会議録
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7. MECHANISMS OF PARTICLE REMOVAL DURING BRUSH SCRUBBER CLEANING
Xu, K. ; Vos, R. ; Vereecke, G. ; Mertens, P. ; Heyns, M. ; Vinckier, C. ; Fransaer, J.
出版情報: Cleaning technology in semiconductor device manufacturing VIII : proceedings of the international symposium.  pp.137-144,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-26
8.

国際会議録
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8. CORROSION OF ALUMINUM ALLOYS DURING DRYING OF METALLIZED WAFERS
Vos, R. ; Meuris, M. ; Mertens, P. ; Heyns, M. ; Hatcher, Z.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing.  pp.569-578,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-35
9.

国際会議録
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9. 45. TaN metal gate MOSFETs with aggressively scaled HfO2 dielectrics
Lander, R. ; Schram, T. ; Lulan, G.S. ; hooker, J. ; Vertommen, J. ; Lee, S. ; de Weerd, W. ; Boullart, W. ; van Elshocht, S ; Carter, R. ; Kubicek, S. ; Demeyer, K. ; De Gendt, S. ; Heyns, M.
出版情報: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices : proceedings of the international symposium.  pp.367-374,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-14
10.

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10. Effect of Substrate Defects on GOI of Ultra-Thin Gate Oxides
Bearda, T.R. ; Vanhellemont, J. ; Mertens, P.W. ; Heyns, M.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.258-263,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13