1.

国際会議録
国際会議録
1. CURRICULUM VITAE OF OXIDE PRECIPITATES: FROM NUCLEATION DURING CRYSTAL GROWTH TO THEIR FINAL DESTINATION IN PROCESSED WAFERS
Kissinger, G. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; Dornberger, E. ; Sorge, R. ; Morgenstern, G. ; Grabolla, T. ; Graef, D. ; von Ammon, W. ; Wagner, P. ; Richter, H.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1095-1112,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
2.

国際会議録
国際会議録
2. SIMULATION OF NON-UNIFORM GROWN-IN VOID DISTRIBUTIONS IN CZOCHRALSKI IN SILICON CRYSTAL
Dornberger, E. ; Esfandyari, J. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Dupret, F. ; von Ammon, W.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.490-502,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
3.

国際会議録
国際会議録
3. GATE OXIDE RELATED BULK PROPERTIES OF OXYGEN DOPED FLOATING ZONE AND CZOCHRALSKI SILICON
Ammon, W.v. ; Ehlert, A. ; Lambert, U. ; Graef, D. ; Brohl, M. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.136-147,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
4.

国際会議録
国際会議録
4. Oxygen Precipitation and Stacking Fault Formation in Wafers with a Transition from Vacancy-Rich to Interstitial-Rich
Kissinger, G. ; Morgenstern, G. ; Grabolla, T. ; Richter, H. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; Graef, D.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.158-169,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
5.

国際会議録
国際会議録
5. Investigation of crystal defects in as-grown and processed silicon wafers and heteroepitaxial layers by infrared light scattering tomography
Kissinger, G. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Zulehner, W. ; Claeys, C. ; Richter, H.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.156-164,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
6.

国際会議録
国際会議録
6. High-temperature annealed silicon wafers
Graef, D. ; Wahlich, R. ; Krottenthaler, P. ; Feijoo, D. ; Lambert, U ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.18-31,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
7.

国際会議録
国際会議録
7. Grown-in oxide precipitate nuclei in Czochralski silicon substrates and their role in device processing
Kissinger, G. ; Grabolla, T. ; Morgenstern, G. ; Richter, H. ; Graef, D. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; von Ammon, W.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.74-87,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
8.

国際会議録
国際会議録
8. D-defects and metal-related flow patterns
Kissinger, G. ; Morgenstern, G. ; Richter, H. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; von Ammon, W. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.32-39,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
9.

国際会議録
国際会議録
9. Simulation of grown-in voids in Czochralski silicon crystals
Dornberger, E. ; Esfandyari, J. ; Graef, D. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; Dupret, F. ; von Ammon, W.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.40-49,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
10.

国際会議録
国際会議録
10. Recent Progress in Understanding Oxygen Precipitation in Silicon
Vanhellemont, J. ; Esfandyari, J. ; Obermeier, G. ; Dornberger, E. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Kissinger, G.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.101-124,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
11.

国際会議録
国際会議録
11. The Impact of Crystal Quality by Delineation of COP and the Impact on the Silicon Wafer Surface
Graef, D. ; Suhren, M. ; Lambert, U. ; Schmolke, R. ; Ehiert, A. ; Ammon, W.v. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.117-131,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
12.

国際会議録
国際会議録
12. DEFECT DEPTH PROFILE IN Si(IOO) P/P- EPITAXIAL WAFERS
Schmolke, R. ; Feijo, D. ; Ostermeir, R. ; Schauer, R. ; Furukawa, S. ; Graef, D.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.855-868,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
13.

国際会議録
国際会議録
13. Critical Processes for Ultrathin Gate Oxide Integrity
Depas, M. ; Heyns, M.M. ; Nigam, T. ; Kenis, K. ; Sprey, H. ; Wilhelm, R. ; Crossley, A. ; Sofield, C.J. ; Graef, D.
出版情報: The physics and chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] interface-3, 1996 : proceedings of the Third International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] Interface.  pp.352-366,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-1
14.

国際会議録
国際会議録
14. IMPACT OF STATE-OF-THE-ART Cz SUBSTRATES ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERSTiCS OF SHALLOW p-n JUNCTIONS
Poyai, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Huber, A. ; Graef, D. ; Gaubas, E.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.694-706,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
15.

国際会議録
国際会議録
15. IMPACT OF STATE-OF-THE-ART Cz SUBSTRATES ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERSTICS OF SHALLOW p-n JUNCTIONS
Poyai, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Huber, A. ; Graef, D. ; Gaubas, E.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.694-704,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
16.

国際会議録
国際会議録
16. On the Nature of Grown-In Defects in Silicon: Dependence on Pulling Conditions and Evolution During Thermal Treatments
Vanhellemont, J. ; Kissinger, G. ; Senkader, S. ; Graef, D. ; Kenis, K. ; Depas, M. ; Lambert, U. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.226-237,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
17.

国際会議録
国際会議録
17. The Impact of the Dwell Time Above 900℃ During Crystal Growth on the Gate Oxide Integrity of Silicon Wafers
Dornberger, E. ; von Ammon, W. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Miller, A. ; Oelkrug, H. ; Ehlert, A.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.140-150,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
18.

国際会議録
国際会議録
18. Crystal Defects in Highly Boron Doped Silicon
Suhren, M. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.132-139,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13