1.

国際会議録
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1. CURRICULUM VITAE OF OXIDE PRECIPITATES: FROM NUCLEATION DURING CRYSTAL GROWTH TO THEIR FINAL DESTINATION IN PROCESSED WAFERS
Kissinger, G. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; Dornberger, E. ; Sorge, R. ; Morgenstern, G. ; Grabolla, T. ; Graef, D. ; von Ammon, W. ; Wagner, P. ; Richter, H.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1095-1112,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
2.

国際会議録
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2. GATE OXIDE RELATED BULK PROPERTIES OF OXYGEN DOPED FLOATING ZONE AND CZOCHRALSKI SILICON
Ammon, W.v. ; Ehlert, A. ; Lambert, U. ; Graef, D. ; Brohl, M. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.136-147,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
3.

国際会議録
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3. High-temperature annealed silicon wafers
Graef, D. ; Wahlich, R. ; Krottenthaler, P. ; Feijoo, D. ; Lambert, U ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.18-31,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
4.

国際会議録
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4. D-defects and metal-related flow patterns
Kissinger, G. ; Morgenstern, G. ; Richter, H. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; von Ammon, W. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.32-39,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
5.

国際会議録
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5. The Impact of Crystal Quality by Delineation of COP and the Impact on the Silicon Wafer Surface
Graef, D. ; Suhren, M. ; Lambert, U. ; Schmolke, R. ; Ehiert, A. ; Ammon, W.v. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.117-131,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
6.

国際会議録
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6. On the Nature of Grown-In Defects in Silicon: Dependence on Pulling Conditions and Evolution During Thermal Treatments
Vanhellemont, J. ; Kissinger, G. ; Senkader, S. ; Graef, D. ; Kenis, K. ; Depas, M. ; Lambert, U. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.226-237,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
7.

国際会議録
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7. Crystal Defects in Highly Boron Doped Silicon
Suhren, M. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.132-139,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13