1.

国際会議録
国際会議録
1. Deep Level Characterization of 5 MeV Proton Irradiated SiC PiN Diodes
G. Alfieri ; A. Mihaila ; H.M. Ayedh ; B.G. Svensson ; P. Hazdra
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2015 : [ICSCRM 2015] : selected, peer reviewed papers from the 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 4-9, 2015, Giardini Naxos, Italy.  pp.308-311,  2016.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 858
2.

国際会議録
国際会議録
2. Point Defects Investigation of High Energy Proton Irradiated SiC p+-i-n Diodes
G. Alfieri ; A. Mihaila ; R. Nipoti ; M. Puzzanghera ; G. Sozzi ; P. Godignon ; J. Millán
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.246-249,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897
3.

国際会議録
国際会議録
3. On the Influence of Active Area Design on the Performance of SiC JBS Diodes
A. Mihaila ; R.A. Minamisawa ; L. Knoll ; V.K. Sundaramoorthy ; E. Bianda ; H. Bartolf ; G. Alfieri ; M. Rahimo
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.471-476,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897
4.

国際会議録
国際会議録
4. Bulk β-Ga2O3 with (010) and (201) Surface Orientation: Schottky Contacts and Point Defects
M.E. Ingebrigtsen ; L. Vines ; G. Alfieri ; A. Mihaila ; U. Badstübner ; B.G. Svensson ; A. Kuznetsov
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.755-758,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897