1.

国際会議録
国際会議録
1. Epitaxial Growth and Characterization of 4H-SiC(11-20) and (03-38)
Kimoto, T. ; Hashimoto, K. ; Fujihira, K. ; Danno, K. ; Nakamura, S. ; Negoro, Y. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide 2002 -- materials, processing and devices : symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.3-14,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 742
2.

国際会議録
国際会議録
2. Recent Progress in SiC Epitaxial Growth and Device Processing Technology
Kimoto, T. ; Yano, H. ; Tamura, S. ; Miyamoto, N. ; Fujihira, K. ; Negoro, Y. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.543-548,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
3.

国際会議録
国際会議録
3. Recent Achievements and Future Challenges in SiC Homoepitaxial Growth
Kimoto, T. ; Nakazawa, S. ; Fujihira, K. ; Hirao, T. ; Nakamura, S. ; Chen, Y ; Hashimoto, K. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.165-170,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
4.

国際会議録
国際会議録
4. Fast Epitaxial Growth of 4H-SiC by Chimney-Type Hot-Wall CVD
Fujihira, K. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.175-178,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
5.

国際会議録
国際会議録
5. High Temperature Deep Level Transient Spectroscopy Investigations of n-Type 4H-SiC Epitaxial Layers
Schoner, A. ; Fujihira, K. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.387-390,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
6.

国際会議録
国際会議録
6. Recent Achievements and Future Challenges in SiC Homoepitaxial Growth
Kimoto, T. ; Nakazawa, S. ; Fujihira, K. ; Hirao, T. ; Nakamura, S. ; Chen, Y. ; Hashimoto, K. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.165-170,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
7.

国際会議録
国際会議録
7. Fast Epitaxial Growth of 4H-SiC by Chimney-Type Hot-Wall CVD
Fujihira, K. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.175-178,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
国際会議録
8. Fast Epitaxial Growth of High-Quality 4H-SiC by Vertical Hot-Wall CVD
Fujihira, K. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.161-164,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
9.

国際会議録
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9. Complete Micropipe Dissociation in 4H-SiC(03-38) Epitaxial Growth and its Impact on Reverse Characteristics of Schottky Barrier Diodes
Kimoto, T. ; Danno, K. ; Fujihira, K. ; Shiomi, H. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.197-200,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436