1.

国際会議録
国際会議録
1. Switching Characteristics of SiC-MOSFET and SBD Power Modules
Imaizumi, M. ; Tarui, Y. ; Kinouchi, S. ; Nakatake, H. ; Nakao, Y. ; Watanabe, T. ; Fujihira, K. ; Miura, N. ; Takami, T. ; Ozeki, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1289-1292,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Fabrication and Performance of 1.2 kV, 12.9 mΩcm2 4H-SiC Epilayer Channel MOSFET
Tarui, Y. ; Watanabe, T. ; Fujihira, K. ; Miura, N. ; Nakao, Y. ; Imaizumi, M. ; Sumitani, H. ; Takami, T. ; Ozeki, T. ; Oomori, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1285-1288,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Effects of N2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability
Fujihira, K. ; Tarui, Y. ; Ohtsuka, K. I. ; Imaizumi, M. ; Takami, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.697-700,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485