1.

国際会議録
国際会議録
1. Effects of Surface Preparation on Epitaxial GaN on 6H-SiC Deposited Via MOCVD
Elsner, J. ; Frauenheim, Th. ; Haugk, M. ; Gutierrez, R. ; Jones, R. ; Heggie, M. I.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.29.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
2.

国際会議録
国際会議録
2. Theory of Ga, N, and H Teminated GaN(0001)/(0001~) surfaces
Elsner, J. ; Haugk, M. ; Gutierrez, R. ; Frauenheim, Th.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.935-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482