1.

国際会議録
国際会議録
1. Atomistic Model of Transient-Enhanced Diffusion and Clustering of Boron in Silicon
Pelaz, L. ; Gilmer, G. H. ; Jaraiz, M. ; Gossmann, H-J. ; Rafferty, C. S. ; Eaglesham, D. J. ; Poate, J. M.
出版情報: Defects and diffusion in silicon processing : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.341-,  1997.  Pittsburg, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 469
2.

国際会議録
国際会議録
2. Properties of Point-Defects in Si for Process Modeling
Gossmann, H. J. ; Rafferty, C. S. ; Stolk, P. A. ; Eaglesham, D. J. ; Gilmer, G. H. ; Poate, J. M. ; Vuong, H.-H. ; Mogi, T. K. ; Thompson, M. O.
出版情報: Modeling and simulation of thin-film processing : symposium held April 17-20, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.3-,  1995.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 389