1.

国際会議録
国際会議録
1. MORPHOLOGY AND INTERFACE CHEMISTRY OF THE INITIAL GROWTH OF GaN AND AIN ON α-SiC AND SAPPHIRE
Sitar, Z. ; Smith, L. S. ; Paisley, M. J. ; Davis, R. F.
出版情報: Interface dynamics and growth : symposium held December 2-6, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.583-588,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 237
2.

国際会議録
国際会議録
2. HETEROEPITAXIAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF TITANIUM FILMS ON ALPHA (6H) SILICON CARBIDE
Spellman, L. M. ; Glass, R. C. ; Davis, R. F. ; Humphreys, T. P. ; Jeon, Hyeongtag ; Namanich, R. J. ; Chevacharoenkul, Sopa ; Parikh, N. R.
出版情報: Heteroepitaxy of dissimilar materials : symposium held April 29-May 2, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.99-104,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 221
3.

国際会議録
国際会議録
3. NATIVE DEFECTS IN DIAMOND, SiC, AND Si: ENERGETICS AND SELF-DIFFUSION
Antonelli, A. ; Wang, C. ; Bernholc, J. ; Davis, R. F.
出版情報: Atomic scale calculations in materials science : symposium held November 28-December 1, 1988, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.249-254,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 141
4.

国際会議録
国際会議録
4. *THE OCCURRENCE OF DEFECTS IN SILICON CARBIDES AS A RESULT OF PROCESSING MODE AND APPLIED STRESS
Carter Jr., C. H. ; Bentley, J. ; Davis, R. F.
出版情報: Defect properties and processing of high-technology nonmetallic materials : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.351-364,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 24
5.

国際会議録
国際会議録
5. RESIDUAL DONORS IN β-SIC FILMS
Carlos, W. E. ; Moore, W. J. ; Siebenman, P..G. ; Freitas Jr., J. A. ; Kaplan, R. ; Bishop, S. G. ; Nordquist Jr., P. E. R. ; Kong, M. ; Davis, R. F.
出版情報: Novel refractory semiconductors : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.253-258,  1987.  Pittsburgh, Penn..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 97
6.

国際会議録
国際会議録
6. * PLASMA-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CERAMIC FILMS AND COATINGS
Davis, R. F.
出版情報: Processing science of advanced ceramics : symposium held April 27-28, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.213-226,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 155
7.

国際会議録
国際会議録
7. PHOTOLUMINESCENCE AND RAMAN SPECTROSCOPY OF CUBIC SiC GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON Si SUBSTRATES
Freitas Jr., J. A. ; Bishop, S. G. ; Addamiano, A. ; Klein, P. H. ; Kim, H. J. ; Davis, R. F.
出版情報: Microscopic identification of electronic defects in semiconductors : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.581-586,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 46
8.

国際会議録
国際会議録
8. CROSS-SECTIONAL TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY OF DEFECTS IN BETA SILICON CARBIDE THIN FILMS
Carter Jr., C. H. ; Edmond, J. A. ; Palmour, J. W. ; Ryu, J. ; Kim, H. J. ; Davis, R. F.
出版情報: Microscopic identification of electronic defects in semiconductors : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.593-598,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 46
9.

国際会議録
国際会議録
9. Phonon Dynamics and Lifetimes on AlN and GaN Crytallites
Bergman, L. ; Alexson, D. ; Nemanich, R. J. ; Dutta, M. ; Stroscio, M. A. ; Balkas, C. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G6.65.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
10.

国際会議録
国際会議録
10. Low-Temperature Homoepitaxial Growth of GaN Using Hyperthermal Molecular Beams
Michel, A. ; Chen, E. ; Thomson, D. ; Nam, O. ; Davis, R. F. ; Lamb, H. H.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.437-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 512
11.

国際会議録
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11. Analysis of Strain in GaN on Al2O3 and 6H-SiC: Near-Bandedge Phenomena
Edwards, N. V. ; Bremser, M. D. ; Weeks, T. W., Jr. ; Kern, R. S. ; Liu, H. ; Stall, R. A. ; Wickenden, A. E. ; Doverspike, K. ; Gaskill, D. K. ; Freitas, J. A., Jr. ; Rossow, U. ; Davis, R. F. ; Aspnes, D. E.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.405-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
12.

国際会議録
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12. *Pendeo-epitaxial growth and characterization of GaN and related materials on 6H-SiC(0001) and Si(111) substrates
Davis, R. F. ; Gehrke, T. ; Linthicum, K. J. ; Zheleva, T. S. ; Rajagopal, P. ; Zorman, C. A. ; Mehregany, M.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W2.1.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
13.

国際会議録
国際会議録
13. Bound Exciton Energies, Biaxial Strains, and Defect Microstructures in GaN/AlN/6H-SiC(0001) Heterostructures
Perry, W. G. ; Zheleva, T. ; Linthicum, K. J. ; Bremser, M. D. ; Davis, R. F. ; Shan, W. ; Song, J. J.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.847-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
14.

国際会議録
国際会議録
14. Strain Effects on Excitonic Transitions in GaN
Shan, W. ; Hauenstein, R. J. ; Fischer, A. J. ; Song, J. J. ; Perry, W. G. ; Bremser, M. D. ; Davis, R. F. ; Goldenberg, B.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.841-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
15.

国際会議録
国際会議録
15. Photoluminescence characterization of Mg implanted GaN
Ronning, C. ; Hofsass, H. C. ; Stotzler, A. ; Deicher, M. ; Carlson, E. P. ; Hartlieb, P. J. ; Gehrke, T. ; Rajagopal, P. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W11.44.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
16.

国際会議録
国際会議録
16. Adhesion of ZrN and SiC Thin Films on Titanium and Nickel Alloys
Gruss, K. A. ; James. R. D. ; Davis, R. F.
出版情報: Covalent ceramics III - science and technology of non-oxides : symposium held November 27-30, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.383-,  1996.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 410
17.

国際会議録
国際会議録
17. Pendeo-Epitaxy of Gallium Nitride and Aluminum Nitride Films and Heterostructures on Silicon Carbide Substrate
Gehrke, T. ; Linthicum, K. J. ; Thomson, D. B. ; Rajagopal, P. ; Batchelor, A. D. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.2.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
18.

国際会議録
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18. Adhesion Evaluation of TiN and (Ti,Al)N Coatings on Titanium 6Al-4V
James, R. D. ; Paisley, D. L. ; Gruss, K. A. ; Parthasarthi, S. ; Tittman, B. R. ; Horie, Y. ; Davis, R. F.
出版情報: Covalent ceramics III - science and technology of non-oxides : symposium held November 27-30, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.377-,  1996.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 410
19.

国際会議録
国際会議録
19. Growth and Electrochemical Characterization of Single-Phase MoxN Films for the Fabrication of Hybrid Double-Layer Capacitors
Roberson, S. L. ; Evans, D. ; Finello, D. ; Davis, R. F.
出版情報: Materials for electrochemical energy storage and conversion II--batteries, capacitors, and fuel cells : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.669-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 496
20.

国際会議録
国際会議録
20. Growth of Bulk AlN and GaN Single Crystals by Sublimation
Balkas, C. M. ; Sitar, Z. ; Zheleva, T. ; Bergman, L. ; Shmagin, I. K. ; Muth, J. F. ; Kolbas, R. ; Nemanich, R. ; Davis, R. F.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.41-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
21.

国際会議録
国際会議録
21. Electrochemical Reactions of Molybdenum Nitride Electrodes in H2SO4 Electrolyte
Roberson, S. L. ; Finello, D. ; Davis, R. F.
出版情報: Electrochemical synthesis and modification of materials : symposium held December 2-5, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.555-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 451
22.

国際会議録
国際会議録
22. Ohmic Contact to n-GaN with TiN Diffusion Barrier
Kaminska, E. ; Piotrowska, A. ; Guziewicz, M. ; Kasjaniuk, S. ; Barcz, A. ; Dynowska, E. ; Bremser, M. D. ; Nam, O. H. ; Davis, R. F.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.1055-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
23.

国際会議録
国際会議録
23. Doping of GaN by Ion Implantation: Does it Work?
Suvkhanov, A. ; Hunn, J. ; Wu, W. ; Thomson, D. ; Price, K. ; Parikh, N. ; Irene, E. ; Davis, R. F. ; Krasnobaev, L.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.475-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 512
24.

国際会議録
国際会議録
24. Relaxation Phenomena in GaN/AlN/6H-SiC Heterostructures
Edwards, N. V. ; Batchelor, A. D. ; Buyanova, I. A. ; Madsen, L. D. ; Bremser, M. D. ; Davis, R. F. ; Aspnes, D. E. ; Monemar, B.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.78.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
25.

国際会議録
国際会議録
25. Process Routes for Low Defect-Density GaN on Various Substrates Employing Pendeo-Epitaxial Growth Techniques
Linthicum, K. J. ; Gehrke, T. ; Thomson, D. B. ; Tracy, K. M. ; Carlson, E. P. ; Smith, T. P. ; Zheleva, T. S. ; Zorman, C. A. ; Mehregany, M. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G4.9.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
26.

国際会議録
国際会議録
26. Growth and characterization of piezoelectrically enhanced acceptor-type AlGaN/GaN heterostructures
Michel, A. ; Hanser, D. ; Davis, R. F. ; Qiao, D. ; Lau, S. S. ; Yu, L. S. ; Sun, W. ; Asbeck, P.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W11.8.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
27.

国際会議録
国際会議録
27. AN HREM STUDY OF THE MICROSTRUCTURE OF Al CONTACT ON GaN/AlN/SiC THIN FILMS
Huang, Y. ; Smith, L. ; Kim. M. J. ; Carpenter, R. W. ; Davis, R. F.
出版情報: Evolution of thin film and surface structure and morphology : symposium held November 28-December 2, 1994, Boston, Massachusetts, USA.  pp.433-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 355
28.

国際会議録
国際会議録
28. Detection of Magnetic Resonance on Shallow Donor-Shallow Acceptor and Deep (2.2 eV) Recombination from GaN Films Grown on 6H-SiC
Glaser, E. R. ; Kennedy, T. A. ; Brown, S. W. ; Freitas, J. A., Jr. ; Perry, W. G. ; Bremser, M. D. ; Weeks, T. W., Jr. ; Davis, R. F.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.667-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
29.

国際会議録
国際会議録
29. Synthesis and Characterization of Small Grain Sized Molybdenum Nitride Films
Roberson, S. L. ; Finello, D. ; Davis, R. F.
出版情報: Nanophase and nanocomposite materials II : symposium held December 2-5, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.173-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 457
30.

国際会議録
国際会議録
30. Selective Growth GaN and Al0.2Ga0.8N on GaN/AlN/6H-SiC (0001) Multilayer Substrates Via Organometallic Vapor-Phase Epitaxy
Nam, O. H. ; Bremser, M. D. ; Ward, B. L. ; Nemanich, R. J. ; Davis, R. F.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.107-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
31.

国際会議録
国際会議録
31. Achievement of Coalesced Oriented Diamond Films on Nickel by Optical Process Control and Methane Enrichment
Yang, P. C. ; Wolden, C. A. ; Liu, W. ; Schlesser, R. ; Davis, R. F. ; Prater, J. T. ; Sitar, Z.
出版情報: Power semiconductor materials and devices : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.213-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 483
32.

国際会議録
国際会議録
32. Homoepitaxial Growth of GaN Using Seeded Supersonic Molecular Beams
Chen, E. ; Zhang, S. ; Michel, A. ; Davis, R. F. ; Lamb, H. H.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.331-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
33.

国際会議録
国際会議録
33. Organometallic Vapor-Phase Lateral Epitaxy of Low Defect Density GaN Layers
Nam, O. H. ; Zheleva, T. S. ; Bremser, M. D. ; Thomson, D. B. ; Davis, R. F.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.301-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
34.

国際会議録
国際会議録
34. Characterization of Be-Implanted GaN Annealed at High Temperatures
Ronning, C. ; Linthicum, K. J. ; Carlson, E. P. ; Hartlieb, P. J. ; Thomson, D. B. ; Gehrke, T. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.17.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
35.

国際会議録
国際会議録
35. Ranges of Deposition Temperatures Applicable for Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaN Films Via the Technique of Pendeo-Epitaxy
Thomson, D. B. ; Gehrke, T. ; Linthicum, K. J. ; Rajagopal, P. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.37.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
36.

国際会議録
国際会議録
36. Growth and Characterization of GaN and AlxGa1-xN Thin Films Achieved Via Lateral- and /or Pendeo-Epitaxial Overgrowth on 6H-SiC(0001) Substrates
Davis, R. F. ; Nam, O-H. ; Zheleva, T. S. ; Bremser, M. D. ; Linthicum, K. J. ; Gehrke, T. ; Rajagopal, P. ; Thomson, D. B. ; Carlson, E. P.
出版情報: III-V and IV-IV materials and processing challenges for highly integrated microelectronics and optoelectronics : symposium held November 30-December 3, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.91-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 535
37.

国際会議録
国際会議録
37. Luminescence Related to Stacking Faults in Heteroepitaxially Grown Wurtzite GaN
Albrecht, M. ; Christiansen, S. ; Salviati, G. ; Zanotti-Fregonara, C. ; Rebane, Y. T. ; Shreter, Y. G. ; Mayer, M. ; Pelzmann, A. ; Kamp, M. ; Ebeling, K. J. ; Bremser, M. D. ; Davis, R. F. ; Strunk, H. P.
出版情報: Gallium nitride and related materials II : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.293-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 468
38.

国際会議録
国際会議録
38. Recovery of Structural Defects in GaN After Heavy Ion Implantation
Ronning, C. ; Dalmer, M. ; Deicher, M. ; Restle, M. ; Bremser, M. D. ; Davis, R. F. ; Hofsass, H.
出版情報: Gallium nitride and related materials II : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.407-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 468
39.

国際会議録
国際会議録
39. Optical properties and defect structure of MOVPE InGaN films
Cremades, A. ; Albrecht, M. ; Ulloa, J. M. ; Piqueras, J. ; Strunk, H. P. ; Hanser, D. ; Davis, R. F.
出版情報: Optical microstructural characterization of semiconductors : sympoisum held November 29-30, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.81-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 588
40.

国際会議録
国際会議録
40. Ni/Si-Based Contacts to GaN: Thermally Activated Structural Transformations Leading to Ohmic Behavior
Kaminska, E. ; Piotrowska, A. ; Jasinski, J. ; Kozubowski, J. ; Barcz, A. ; Golaszewska, K. ; Thomson, D. B. ; Davis, R. F. ; Bremser, M. D.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G9.9.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
41.

国際会議録
国際会議録
41. Pendeo-Epitaxy-A New Approach for Lateral Growth of Gallium Nitride Structures
Zheleva, T. S. ; Smith, S. A. ; Thomson, D. B. ; Gehrke, T. ; Linthicum, K. J. ; Rajagopal, P. ; Carlson, E. ; Ashmawi, W. M. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.38.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
42.

国際会議録
国際会議録
42. 3C-SiC buffer layers converted from Si at a low temperature
Liaw, H. M. ; Hong, S. Q. ; Fejes, P. ; Werho, D. ; Tompkins, H. ; Zollner, S. ; Wilson, S. R. ; Linthicum, K. J. ; Davis, R. F.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.219-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
43.

国際会議録
国際会議録
43. Nucleation and Growth of Oriented Diamond Films on Nickel Substrates
Yang, P. C. ; Liu, W. ; Tucker, D. A. ; Wolden, C. A. ; Davis, R. F. ; Glass, J. T. ; Prater, J. T. ; Sitar, Z.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.281-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
44.

国際会議録
国際会議録
44. Selection, Growth, and Characterization of Gate Insulators on MOCVD Gallium Nitride for the Use in High Power Field-Effect Devices
Therrien, R. J. ; Nam, O. H. ; Bremser, M. D. ; Lithicum, K. ; Nimii, H. ; Carlson, E. P. ; Lucovsky, G. ; Davis, R. F.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.1107-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
45.

国際会議録
国際会議録
45. Ohmic Contact Formation to Doped GaN
Smith, L. L. ; Bremser, M. D. ; Carlson, E. P. ; Weeks, T. W., Jr. ; Huang, Y. ; Kim, M. J. ; Carpenter, R. W. ; Davis, R. F.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.861-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
46.

国際会議録
国際会議録
46. Deposition of Gallium Nitride Films Using Ammonia and Triethylgallium Seeded Helium Beams
Sumakeris, J. J. ; Chilukuri, R. K. ; Davis, R. F. ; Lamb, H. H.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.331-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
47.

国際会議録
国際会議録
47. (Negative) Electron Affinity of AlN and AlGaN Alloys
Nemanich, R. J. ; Benjamin, M. C. ; Bozeman, S. P. ; Bremser, M. D. ; King, S. W. ; Ward, B. L. ; Davis, R. F. ; Chen, B. ; Zhang, Z. ; Bernholc, J.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.777-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
48.

国際会議録
国際会議録
48. TEM Analysis of the Observed Phases During the Growth of Oriented Diamond on Nickel Substrates
Liu, W. ; Yang, P. C. ; Tucker, D. A. ; Wolden, C. A. ; Davis, R. F. ; Glass, J. T. ; Prater, J. T. ; Sitar, Z.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.457-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
49.

国際会議録
国際会議録
49. Ni/Si-Based Ohmic Contacts to p- and n-Type GaN
Kaminska, E. ; Piotrowska, A. ; Barcz, A. ; Guziewicz, M. ; Kasjaniuk, S. ; Bremser, M. D. ; Davis, R. F. ; Dynowska, E. ; Kwiatkowski, S.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.1077-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
50.

国際会議録
国際会議録
50. Location of Residual Donors in GaN Epitaxial Layers
Glaser, E. R. ; Kennedy, T. A. ; Wickenden, A. E. ; Koleske, D. D. ; Perry, W. G. ; Davis, R. F.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.561-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
51.

国際会議録
国際会議録
51. Characterization of Stress Relaxation, Dislocations and Crystallographic Tilt Via X-ray Microdiffraction in GaN (0001) Layers Grown by Maskless Pendeo-Epitaxy
Barabash, R. I. ; Ice, G. E. ; Liu, W. ; Einfeldt, S. ; Hommel, D. ; Roskowski, A. M. ; Davis, R. F.
出版情報: Thin films : stresses and mechanical properties XI : symposium held March 28-April 1, 2005, San Francisco, California, U.S.A..  pp.115-120,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 875
52.

国際会議録
国際会議録
52. Relationship of Basal Plane and Prismatic Stacking Faults in GaN to Low Temperature Photoluminescence Peaks at 〜3.4 eV and 〜3.2 eV
Bai, J. ; Dudley, M. ; Chen, L. ; Skromme, B. J. ; Hartlieb, P. J. ; Michaels, E. ; Kolis, J. W. ; Wagner, B. ; Davis, R. F. ; Chowdhury, U. ; Dupuis, R. D.
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.721-726,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831
53.

国際会議録
国際会議録
53. Initial Stages of Growth of Gallium Nitride via Iodine Vapor Phase Epitaxy
Mecouch, W. J. ; Rodriguez, B. J. ; Reitmeier, Z. J. ; Park, J-S. ; Davis, R. F. ; Sitar, Z.
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.185-190,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831
54.

国際会議録
国際会議録
54. SiC MISFETs With MBE-grown AIN Gate Dielectric
Zetterling, C. -M. ; Ostling, M. ; Yano, H. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H. ; Linthicum, K. ; Davis, R. F.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1315-1318,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
55.

国際会議録
国際会議録
55. Dry Etching and Metallization Schemes in a GaN/SiC Heterojunction Device Process
Danielsson, E. ; Zetterling, C. -M. ; Ostling, M. ; Lee, S. K. ; Linthicum, K. ; Thomson, D. B. ; Nam, O. -H. ; Davis, R. F.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1049-1052,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
56.

国際会議録
国際会議録
56. Growth and Doping of AlxGa1-xN Deposited Directly on α(6H)-SiC(0001) Substrates Viia Organometallic Vapor Phase Epitaxy
Bremser, M. D. ; Perry, W. G. ; Edwards, N. V. ; Zheleva, T. ; Parikh, N. ; Aspnes, D. E. ; Davis, R. F.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.195-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
57.

国際会議録
国際会議録
57. Influence of Annealing Conditions on Dopant Activation of Si+ and Mg+ Implanted GaN
Suvkhanov, A. ; Parikh, N. ; Usov, I. ; Hunn, J. ; Withrow, S. ; Thomson, D. ; Gehrke, T. ; Davis, R. F. ; Krasnobaev, L. Ya.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1615-1618,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
58.

国際会議録
国際会議録
58. Photo-Emission Electron Microscopy (PEEM) of Cleaned and Etched 6H-SiC(0001)
Hartman, J. D. ; Naniwae, K. ; Petrich, C. ; Ramachandran, V. ; Feenstra, R. M. ; Nemanich, R. J. ; Davis, R. F.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.353-356,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
59.

国際会議録
国際会議録
59. Lateral- and Pendeo-epitaxial Growth and Defect Reduction in GaN Thin Films
Davis, R. F. ; Nam, O. -H. ; Zheleva, T. S. ; Gehrke, T. ; Linthicum, K. J. ; Rajagopal, P.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1471-1476,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
60.

国際会議録
国際会議録
60. Peudeo-EpitaxyTM process for Aluminum Gallium Nitride Thin Films on Silicon Carbide Substrates via Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Gehrke, T. ; Linthicum, K. J. ; Rajagopal, P. ; Preble, E. A. ; Carlson, E. P. ; Robin, B. M. ; Davis, R. F.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1491-1494,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
61.

国際会議録
国際会議録
61. Zirconium mediated hydrogen outdiffusion from p-GaN
Kaminska, E. ; Piotrowska, A. ; Barcz, A. ; Jasinski, J. ; Zielinski, M. ; Golaszewska, K. ; Davis, R. F. ; Goldys, E. ; Tomsia, K.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W10.9.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
62.

国際会議録
国際会議録
62. Advanced PENDEOEPITAXY(TM) of GaN and AlxGa1-xN thin films on SiC(0001) and Si(111) substrates via metalorganic chemical vapor deposition
Gehrke, T. ; Linthicum, K. J. ; Rajagopal, P. ; Preble, E. A. ; Davis, R. F.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W2.4.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
63.

国際会議録
国際会議録
63. Raman Analysis of Electron-Phonon Interactions in GaN Films
Bergman, L. ; Bremser, M. D. ; Christman, J. A. ; King, S. W. ; Davis, R. F. ; Nemanich, R. J.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.725-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
64.

国際会議録
国際会議録
64. Variation of GaN Valence Bands with Biaxial Stress: Quantification of Residual Stress and Impact on Fundamental Band Parameters
Edwards, N. V. ; Yoo, S. D. ; Bremser, M. D. ; Horton, M. N. ; Perkins, N. R. ; Weeks, T. W., Jr. ; Liu, H. ; Stall, R. A. ; Kuech, T. F. ; Davis, R. F. ; Aspnes, D. E.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.781-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
65.

国際会議録
国際会議録
65. Pendeo-epitaxial growth GaN on SiC and silicon substrates via metalorganic chemical vapor deposition
Linthicum, K. J. ; Gehrke, T. ; Thomson, D. ; Ronning, C. ; Carlson, E. P. ; Zorman, C. A. ; Mehregany, M. ; Davis, R. F.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.307-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
66.

国際会議録
国際会議録
66. Epitaxial growth of AlN on Si substrates with intermediate 3C-SiC as buffer layers
Hong, S. Q. ; Liaw, H. M. ; Linthicum, K. ; Davis, R. F. ; Fejes, P. ; Zollner, S. ; Kottke, M. ; Wilson, S. R.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.407-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
67.

国際会議録
国際会議録
67. COMPOSITIONS AND CHEMICAL BONDING IN CERAMICS BY QUANTITATIVE ELECTRON ENERGY-LOSS SPECTROMETRY
Bentley, J. ; Horton, L. L. ; McHargue, C. J. ; McKernan, S. ; Carter, C. B. ; Revcolevschi, A. ; Tanaka, S. ; Davis, R. F.
出版情報: Determining nanoscale physical properties of materials by microscopy and spectroscopy.  pp.385-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 332
68.

国際会議録
国際会議録
68. Dislocation Luminescence in Wurtzite GaN
Shreter, Y. G. ; Rebane, Y. T. ; Davis, T. J. ; Barnard, J. ; Darbyshire, M. ; Steeds, J. W. ; Perry, W. G. ; Bremser, M. D. ; Davis, R. F.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.683-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
69.

国際会議録
国際会議録
69. Lattice Location and Luminescence Behavior of Rare-Earth Elements Implanted in GaN
Dalmer, M. ; Restle, M. ; Stotzler, A. ; Vetter, U. ; Hofsass, H. ; Bremser, M. D. ; Ronning, C. ; Davis, R. F. ; The Isolde Collaboration,
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.1021-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
70.

国際会議録
国際会議録
70. In-Plane Optical Anisotropies of AlxGa1-xN Films in Their Regions of Transparency
Rossow, U. ; Edwards, N. V. ; Bremser, M. D. ; Kern, R. S. ; Liu, H. ; Davis, R. F. ; Aspnes, D. E.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.835-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
71.

国際会議録
国際会議録
71. Selected Energy Epitaxy of Gallium Nitride
Chilukuri, R. K. ; Zhang, Suian ; Chen, E. ; Davis, R. F. ; Lamb, H. H.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.355-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
72.

国際会議録
国際会議録
72. *GROWTH, DOPING, DEVICE DEVELOPMENT AND CHARACTERIZSATION OF CVD BETA-SiC EPILAYERS ON Si (100) AND ALPHA-SiC (0001)
Kong, H. ; Kim, H,. J. ; Edmond, J. A. ; Palmour, J.. W. ; Ryu, J. ; Carter Jr., C. H. ; Glass, J. T. ; Davis, R. F.
出版情報: Novel refractory semiconductors : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.233-246,  1987.  Pittsburgh, Penn..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 97
73.

国際会議録
国際会議録
73. TEM studies of laterally overgrown GaN layers grown in polar and non-polar directions (Invited Paper) [6121-23]
Liliental-Weber, Z. ; Zakharov, D. ; Wagner, B. ; Davis, R. F.
出版情報: Gallium Nitride Materials and Devices.  pp.612101-,  2006.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 6121