1.

国際会議録
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1. The effects of parasitic bipolar-junction-transistor (BJT) conduction on the hot-carrier-degradation of PD SOI MOSFETs
Chang, Y.S. ; Li, S.S. ; Cristoloveanu, S.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.319-328,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
2.

国際会議録
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2. Saturation current model for the n-channel G4-FET
Dufrene, B. ; Blalock, B. ; Cristoloveanu, S. ; Mojarradi, M. ; Kolawa, E.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.367-372,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
3.

国際会議録
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3. Scaling Issues for Advanced SOI Devices: Gate Oxide Tunneling, Thin Buried Oxide, and Ultra-Thin Films
Pretet, J. ; Ohata, A. ; Dieudonne, F. ; Allibert, F. ; Bresson, N. ; Matsumoto, T. ; Poiroux, T. ; Jomaah, J. ; Cristoloveanu, S.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.476-487,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
4.

国際会議録
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4. INVITED: ELECTRONIC DIVISIONAWARD ADDRESS: SOI TECHNOLOGY: THE FUTURE WILL NOT SCALE DOWN
Cristoloveanu, S.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.328-341,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
5.

国際会議録
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5. Influence of the annealing duration on the interface roughness and electrical properties of low-dose SIMOX wafers
Munteanu, D. ; Guilhalmenc, C. ; Cristoloveanu, S. ; Moriceau, H. ; Cartier, A.M. ; Aspar, B.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.131-136,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
6.

国際会議録
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6. Influence of the Back Gate Bias on the Properties of SOI LDMOSFETs
Vandooren, A. ; Cristoloveanu, S.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.151-156,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
7.

国際会議録
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7. Evaluation and Comparison of Various Silicon-On-Sapphire (SOS) Materials using the Pseudo-MOSFET Technique
Hefyene, N. ; Cristoloveanu, S. ; Ghibaudo, G. ; Matsui, M. ; Yasujima, A.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.133-138,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
8.

国際会議録
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8. Special Frequency-Dependent Transient Mechanisms in SO1 MOSFETs Measured by a New Technique: The Average Transient Current
Ernst, T. ; Lakeou, S. ; Allibert, F. ; Pretet, J. ; Cristoloveanu, S.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.175-180,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
9.

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9. Channel Width, Length and Thickness Effects in LOCOS-Isolated SOT MOSFETs
Pretet, I. ; Cristoloveanu, S. ; Alliben, F. ; Zaslavsky, A. ; Raynaud, C.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.221-226,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
10.

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10. Performance of Double-Gate SOI nMOSFETs at Low Temperature
Vandooren, A. ; Cristoloveanu, S. ; Colinge, J.P. ; Flandre, D.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.427-432,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3