1.

国際会議録
国際会議録
1. Operation of SiGe BICMOS Technology at Cryogenic Temperatures
Bradford, G.D. ; Cressler, J.D. ; Harame, D.L.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.189-198,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
2.

国際会議録
国際会議録
2. Temperature Dependence of Early Voltage and Current Gain-Early Voltage Product in SiGe HBTs
Joseph, A.J. ; Cressler, J.D. ; Richey, D.M. ; Harame, D.L.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.211-220,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
3.

国際会議録
国際会議録
3. The Effects of Ionizing Radiation on SiGe HBTs Operated at 77 K
Babcock, J.A. ; Cressler, J.D. ; Clark, S.D. ; Vempati, L.S. ; Harame, D.L.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.221-232,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9