1.

国際会議録
国際会議録
1. Fundamental Modeling of Transient-Enhanced Diffusion Through Extended Defect Evolution
Gencer, A. H. ; Chakravarthi, S. ; Clejan, I. ; Dunham, S. T.
出版情報: Defects and diffusion in silicon processing : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.359-,  1997.  Pittsburg, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 469
2.

国際会議録
国際会議録
2. Modeling Interactions of Point Defects with Precipitates Using the Reduced Precipitation Model
Clejan, I. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.398-406,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
3.

国際会議録
国際会議録
3. A Reduced Moment-Based Model for Precipitation Kinetics and Application to Dopant Activation in Silicon
Clejan, I. ; Dunham, S.T.
出版情報: ULSI science and technology, 1995 : proceedings of the Fifth International Symposium on Ultra Large Scale Integration Science and Technology.  pp.21-31,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-5