1.

国際会議録
国際会議録
1. Modeling Interactions of Point Defects with Precipitates Using the Reduced Precipitation Model
Clejan, I. ; Dunham, S.T.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.398-406,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
2.

国際会議録
国際会議録
2. A Reduced Moment-Based Model for Precipitation Kinetics and Application to Dopant Activation in Silicon
Clejan, I. ; Dunham, S.T.
出版情報: ULSI science and technology, 1995 : proceedings of the Fifth International Symposium on Ultra Large Scale Integration Science and Technology.  pp.21-31,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-5