1.

国際会議録
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1. SUBSTRATE AND PARTICLE DEPENDENT DEEP LEVEL GENERATION IN SILICON BY MeV PARTICLE BEAMS
Trauwaert, M.-A. ; Vanhellemont, J. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Johlander, B. ; Harboe-Sorensen, R. ; Adams, L. ; Clauws, P.
出版情報: Beam-solid interactions : fundamentals and applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.93-98,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 279
2.

国際会議録
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2. Impact of the back-gate bias on the low-frequency noise of partially depleted silicon-on-insulator MOSFETs
Lukyanchikova, N. R. ; Garbar, N. ; Smolanka, A. ; Simoen, E. ; Mercha, A. ; Claeys, C.
出版情報: Noise in devices and circuits II : 26-28 May 2004, Maspalomas, Gran Canaria, Spain.  pp.208-214,  2004.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5470
3.

国際会議録
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3. 1/f noise in deep-submicron CMOS technology for RF and analog applications (Invited Paper)
Mercha, A. ; Simoen, E. ; Decoutere, S. ; Claeys, C.
出版情報: Noise in devices and circuits II : 26-28 May 2004, Maspalomas, Gran Canaria, Spain.  pp.193-207,  2004.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5470
4.

国際会議録
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4. THE BEHAVIOUR OF OXYGEN IN OXYGENATED N-TYPE HIGH-RESISTIVITY FLOAT-ZONE SILICON
Simoen, E. ; Claeys, C. ; Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Fahrner, W.R. ; Tonelli, G. ; Degryse, O. ; Clauws, P.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.912-924,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
5.

国際会議録
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5. Degradation and recovery of alpha ray irradiated MOSFETs on SIMOX
Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Kawamura, K. ; Hakata, T. ; Sunaga, H. ; Ogita, Y.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.289-294,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
6.

国際会議録
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6. THE BEHAVIOUR OF OXYGEN IN OXYGENATED N-TYPE HIGH-RESISTIVITY FLOAT-ZONE SILICON
Simoen, E. ; Claeys, C. ; Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Fahrner, W.R. ; Tonelli, G. ; Degryse, O. ; Clauws, P.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.912-926,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
7.

国際会議録
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7. ON THE ELECTRICAL ACTIVITY OF OXYGEN-RELATED EXTENDED DEFECTS IN SILICON
Vanhellemont, J. ; Simoen, E. ; Bosman, G. ; Claeys, C. ; Kaniava, A. ; Gaubas, E. ; Blondeel, A. ; Clauws, P.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.670-683,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
8.

国際会議録
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8. Lifetime and Leakage Current Studies in Shallow P-N Junctions
Poyai, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Rooyackers, R. ; Badenes, G. ; Gaubas, E.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.403-413,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
9.

国際会議録
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9. Freeze-out Effects on the Characteristics of Deep Submicron Si MOSFETs in the 77 to 300 K Range
Croon, J. ; Biesemans, S. ; Kubicek, S. ; Simoen, E. ; De Meyer, K. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.187-198,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
10.

国際会議録
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10. Impact Ionization Related Phenomena in Si MOSFETs Operated at Cryogenic Temperatures
Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.117-139,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
11.

国際会議録
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11. Impact of the Generation Width on the Lifetime Extraction in Cz Siliconp-n Junction Diodes
Czerwinski, A. ; Simoen, E. ; Poyai, A. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.88-99,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
12.

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12. Simple Method to Extract the length Dependent Mobility Degradation Factor at 77 K
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.159-170,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
13.

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13. Investigation of crystal defects in as-grown and processed silicon wafers and heteroepitaxial layers by infrared light scattering tomography
Kissinger, G. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Zulehner, W. ; Claeys, C. ; Richter, H.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.156-164,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
14.

国際会議録
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14. Stimulated buried dielectric phase formation for nanoelectronics aims
Litovchenko, V.G. ; Romanyuk, B.N. ; Efremov, A.A. ; Mel'nik, V.P. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.81-85,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
15.

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15. PL study of oxygen related defects in silicon
Libezny, M. ; Kaniava, A. ; Kissinger, G. ; Nijs, J. ; Claeys, C. ; Vanhellemont, J.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.165-172,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
16.

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16. Thermal Oxygen Donors with an Anomalous Small Electron Capture Cross Section
Neimash, V.B. ; Siratskii, V.M. ; Kraichinskii, A.M. ; Puzenko, O.O. ; Claeys, C. ; Simoen, E.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.200-210,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
17.

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17. OPTIMISED DIODE ASSESSMENT OF THE SURFACE AND BULK GENERATION/RECOMBINATION PROPERTIES OF SILICON SUBSTRATE
Simoen, E. ; Poyai, A. ; Claeys, C. ; Czerwinski, A. ; Katcki, J.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1576-1592,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
18.

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18. What Can Low-frequency Noise Learn us About the Quality of Thin-gate Dielectrics?
Simoen, E. ; Mercha, A. ; Claeys, C.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.153-172,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
19.

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19. A SEMI-QUANTITATIVE METHOD FOR STUDYING PHOTORESIST STRIPPING
Rotondaro, A.L.P. ; Meuris, M. ; Schmidt, H.F. ; Heyns, M.M. ; Vandervorst, W. ; Claeys, C. ; Hellemans, L. ; Snauvaert, I.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing.  pp.581-586,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-7
20.

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20. Interface defects of the new type detected by the noise method in SOI and SOS MOSFETs
Lukyanchikova, N. ; Petrichuk, M. ; Garbar, N. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.203-214,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
21.

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21. Optimisation of Cryogenic CMOS Technology and Design for Deep Cryogenic Analog Circuits
Dierickx, B. ; Simoen, E. ; Vermeiren, J. ; Cos, S. ; Claeys, C. ; Declerck, G.
出版情報: Proceedings of the ESA Electronic Components Conference, held at the Conference Centre, ESTEC, Noordwijk, the Netherlands, 12-16 November 1990.  pp.43-48,  1991.  Paris.  ESA Publications Division
シリーズ名: ESA SP
シリーズ巻号: 313
22.

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22. The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs
Camillo, L.M. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.119-124,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
23.

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23. 19 1/fNoise Performance of n-MOSFETs with Hf-Based Gate Dielectrics
Srinivasan, P. ; Simoen, E. ; Pantisano, L. ; Claeys, C. ; Misra, D.
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS, new materials, processes, and equipment : proceedings of the international symposium.  pp.151-160,  2005.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-05
24.

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24. Impact of STI Width and Spacing on the Stress Generation in Deep Submicron CMOS
Poyai, A. ; Rittaporn, I. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Rooyackers, R.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.307-316,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
25.

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25. Effective Lifetime of Minority Carriers in Silicon: the Role of Heat- and Hydrogen Plasma Treatments
Ulyashin, A. ; Simoen, E. ; Camel, L. ; De Wolf, S. ; Dekkers, H. ; Rafi, J.M. ; Beaucarne, G. ; Poortmans, J. ; Claeys, C.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.334-345,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
26.

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26. Oxygen Precipitation and Thermal Donor Formation in Pb and C-Doped n-type Czochralski Silicon
Neimash, M.V. ; Kras'ko, M. ; Kraitchinskii, A, ; Voytovych, V. ; Kabaldin, O. ; Tsmots, V. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.286-294,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
27.

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27. Temperature Influence on the Generation Lifetime Determination Based on Drain Current Transients in Partially Depleted SOI nMOSFETs
Martino, J.A. ; Rafi, J.M. ; Mercha, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.346-356,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
28.

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28. Is There a Future for Cryogenic SQl (Invited)
Claeys, C. ; Simoen, E.
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.36-50,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3
29.

国際会議録
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29. Tin Doping Effects in Silicon*
Simoen, E. ; Claeys, C. ; Neimash, V.B. ; Kraitchinskii, A. ; Kras'ko, M. ; Puzenko, O. ; Blondeel, A. ; Clauws, P.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.223-235,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
30.

国際会議録
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30. Degradation of Deep Submicron Partially Depleted SOI CMOS iransistors tinder MEV Proton or Gamma Irradiation
Simoen, E. ; Rafi, J.M. ; Mercha, A. ; De Meyer, K. ; Claeys, C. ; Kokkoris, M. ; Kossionides, E. ; Fanourakis, G. ; Mohhaindzadeh, A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.18-27,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
31.

国際会議録
国際会議録
31. Monitoring of Neutron Transmutation Doped Silicon Recombination Properties by Microwave Absorption Transient Techniques
Gaubas, E. ; Vanhellemont, J. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Clauws, P. ; Kraner, H.W. ; Vilkelis, G.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.439-449,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
32.

国際会議録
国際会議録
32. P-N Junction Diagnostics of the Electrical Epi-Layer Quality: A Feasibility Study
Simoen, E. ; Poyai, A. ; Claeys, C. ; Czerwinski, A.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.410-421,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
33.

国際会議録
国際会議録
33. Optimised diode analysis of electrical silicon substrate properties
Czerwinski, A. ; Tomaszewski, D. ; Gibki, J. ; Bakowski, A. ; Klima, K. ; Katcki, J. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.218-227,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
34.

国際会議録
国際会議録
34. Proton irradiation induced lattice defects in Si diodes and their effects on device performance
Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Vanhellemont, J. ; Takami, Y. ; Hayama, T. ; Sunaga, H. ; Kobayashi, K.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.143-152,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
35.

国際会議録
国際会議録
35. Radiation-Induced Deep Levels in Lead- and Tin-Doped n-Type Czochralski Silicon
David, M.-L. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Neimash, V. ; Kras'ko, M. ; Kraitchinski, A. ; Voytovuch, V. ; Tishcenko, V. ; Barbot, J.F.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.395-406,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
36.

国際会議録
国際会議録
36. Radiation characteristics of short p-channel MOSFETs on SOI substrates
Evtukh, A. ; Kizjak, A. ; Litovchenko, V. ; Claeys, C. ; Simoen, E.
出版情報: Science and technology of semiconductor-on-insulator structures and devices operating in a harsh environment.  pp.221-226,  2005.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 185
37.

国際会議録
国際会議録
37. Defect Behavior and Control in Advanced CMOS Process Technologies
Claeys, C. ; Simoen, E.
出版情報: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices : proceedings of the international symposium.  pp.50-65,  2004.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-01
38.

国際会議録
国際会議録
38. Radiation Source Dependence of Degradation in MOSFETS on SIMOX Substrate
Hakata, T. ; Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Kawamura, K. ; Miyahara, K. ; Hososhima, M.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.387-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
39.

国際会議録
国際会議録
39. Radiation Damage of InGaAs Photodiodes by High-Energy Particles
Kudou, T. ; Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Shigaki, K. ; Fujii, A. ; Sunaga, H.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.471-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
40.

国際会議録
国際会議録
40. Degradation and Recovery of Si Diodes by 20-MeV Protons and 220-MeV Carbon Particles
Hakata, T. ; Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Sunaga, H. ; Kobayashi, K. ; Hososhima, M.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.435-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
41.

国際会議録
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41. Radiation Damage in Si Avalanche Photodiodes by 1-MeV Fast Neutrons and 220-MeV Carbon Particles
Ohyama, H. ; Hakata, T. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Hayama, K. ; Tokuyama, J. ; Shigaki, K. ; Kobayashi, K. ; Sunaga, H. ; Miyahara, K. ; Hososhima, M.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.429-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
42.

国際会議録
国際会議録
42. Outplating of Metallic Contaminants on Silicon Wafers from Diluted Acid Solutions
Rotondaro, A. L. P. ; Hurd, T. Q. ; Schmidt, H. F. ; Teerlinck, I. ; Heyns, M. M. ; Claeys, C.
出版情報: Ultraclean semiconductor processing technology and surface chemical cleaning and passivation : Symposum held April 17-19, 1995, San Francisco, California, USA.  pp.183-,  1995.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 386
43.

国際会議録
国際会議録
43. Impact of the Ge Content on the Radiation Hardness of Heterojunction Diodes in SiGe Strained Layers
Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Hayama, K. ; Hakata, T. ; Tokuyama, J. ; Kobayashi, K. ; Sunaga, H. ; Poortmans, J. ; Caymax, M.
出版情報: Epitaxy and applications of si-based heterostructures : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.99-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 533
44.

国際会議録
国際会議録
44. Doping Of Oxidized Float Zone Silicon By Thermal Donors - A Low Thermal Budget Doping Method For Device Applications?
Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Huang, Y.L. ; Fahrner, W.R. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Niedernostheide, F.-J. ; Schulze, H.-J. ; Tonelli, G.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors and devices III : symposium held April 1-5, 2002, San Francisco, California, U.S.A..  pp.257-262,  2002.  Warrendale, Pa.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 719
45.

国際会議録
国際会議録
45. The impact of Fe and Cu on the minority carrier lifetime of p and n-type silicon wafers
Simoen, E. ; Heyns, M.M. ; Claeys, C. ; Brown, G.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.54-63,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
46.

国際会議録
国際会議録
46. Noise Diagnostics for Advanced Silicon Substrates and Deep Submicron Process Modules
Simoen, E. ; Mercha, A. ; Claeys, C.
出版情報: Analytical and diagnostic techniques for semiconductor materials, devices, and processes : joint proceedings of the symposia on: ALTECH 2003, Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization IV, Paris, France and the 202nd Meeting of the Electrochemical Society, Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices VI, Salt Lake City, Utah.  pp.420-439,  2003.  Pennington, NJ.  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5133
47.

国際会議録
国際会議録
47. Analysis of Oxygen Thermal Donor Formation in n-type Cz-Silicon
Rafi, J.M. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Ulyashin, A. ; Job, R. ; Fahrner, W. ; Versluys, J. ; Clauws, P. ; Lozano, M. ; Campabadal, F.
出版情報: Analytical and diagnostic techniques for semiconductor materials, devices, and processes : joint proceedings of the symposia on: ALTECH 2003, Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization IV, Paris, France and the 202nd Meeting of the Electrochemical Society, Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices VI, Salt Lake City, Utah.  pp.96-105,  2003.  Pennington, NJ.  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5133
48.

国際会議録
国際会議録
48. Analysis of the Linear Kink Effect in Partially Depleted SOI NMOSFETs
Agopian, P. G. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2005 : proceedings of the twentieth international symposium.  pp.512-519,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-08
49.

国際会議録
国際会議録
49. Temperature and Oxide Thickness Influence on the Generation Lifetime Determination in Partially Depleted SOI NMOSFETs
Galeti, M. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2005 : proceedings of the twentieth international symposium.  pp.538-547,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-08
50.

国際会議録
国際会議録
50. Floating Body/Floating Well Effects in Deep Submicron MOSFETs at Liquid Nitrogen Temperature
Simoen, E. ; Hayama, K. ; Takakura, K. ; Mercha, A. ; Claeys, C. ; Ohyama, H.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2005 : proceedings of the twentieth international symposium.  pp.455-463,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-08