1.

国際会議録
国際会議録
1. (12.6) 8:35 - 8:55 PM- Advanced Epitaxy by RTCVD
Dutartre, D. ; Talbot, A. ; Fellous, C. ; Deleglise, F. ; Rubaldo, L. ; Chevalier, P. ; Chantre, A. (ST Microelectronics)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.837-848,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
2.

国際会議録
国際会議録
2. (2.2) 1:35 - 2:05 PM - 0.13um SiGeC BiCMOS Technology (Invited)
Chantre, A. ; Laurens, M. ; Chevalier, P. ; Monroy, A. ; Deleglise, F. ; Fellous, C. ; Rubaldo, L. ; Dutartre, D.(ST Microelectronics)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.33-36,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07