1.

国際会議録
国際会議録
1. Influence of the annealing duration on the interface roughness and electrical properties of low-dose SIMOX wafers
Munteanu, D. ; Guilhalmenc, C. ; Cristoloveanu, S. ; Moriceau, H. ; Cartier, A.M. ; Aspar, B.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.131-136,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
2.

国際会議録
国際会議録
2. From SOI to SOIM technology: Application for specific semiconductor processes
Rayssac, O. ; Moriceau, H. ; Olivier, M. ; Stoimenos, I. ; Cartier, A.M. ; Aspar, B.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.39-44,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
3.

国際会議録
国際会議録
3. Overview on Some Recent Advances in Wafer Bonding Technologies
Moriceau, H. ; Fournel, F. ; Rayssac, O. ; Cartier, A.M. ; Morales, C. ; Pocas, S. ; Zussy, M. ; Jalaguier, E. ; Biasse, B. ; Bataillou, B. ; Papon, A.M. ; Lagahe, C. ; Aspar, B. ; Maleville, C. ; Leterte, F. ; Ghyselen, B. ; Barge, T.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.1-16,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-27