1.

国際会議録
国際会議録
1. DyScHfOx as High-k Gate Dielectrics: Structural and Electrical Properties
C. Adelmann ; S. Van Elshocht ; P. Lehnen ; T. Canard ; A. Franquet ; C. Zhao ; L. Ragnarsson ; V. Chang ; H. Choi ; Y. Hong-Yu ; S. De Gendt
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 3 : new materials, processes and equipment.  pp.113-120,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(1)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Wet Etch Characteristics of Hafnium Silicate Layers
M. Claes ; V. Paraschiv ; D. Dictus ; T. Conard ; W. Boullari ; S. Vanhaelemeersch ; S. De Gendt ; A. Delabie ; S. Van Elshoclst ; C. Zhao ; J. Everaert
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.633-644,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Evaluation of Nb(Si)N as Metal Gate Material
N. Van Hoornick ; H. De Witte ; T. Hitters ; C. Zhao ; T. Canard ; H. Huatori ; J. Swerts ; T. Schram ; J. Maes ; S. De Gendt ; M. Heyns
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.495-506,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Rare-Earth Metal Scandate High-k Layers
C. Zhao ; T. Heeg ; M. Wagner ; J. Schubert ; S. Witters ; B. Brijs ; H. Bender ; O. Richard ; V. Afanas'ev ; M. Houssa ; M. Caymasx ; S. De Gendt
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.161-176,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)