1.

国際会議録
国際会議録
1. Effect of Surface Orientation and Off-Angle on Surface Roughness and Electrical Properties of p-Type Impurity Implanted 4H-SiC Substrate after High Temperature Annealing
Kinoshita, A. ; Katou, M. ; Kawasaki, M. ; Kojima, K. ; Fukuda, K. ; Arai, K. ; Morigasa, F. ; Endou, T. ; Isii, T. ; Yashima, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.835-838,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Proposal of the Thermal Equilibrium Model for SiC Hydrogen Etching Phenomena
Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Okumura, H. ; Arai, K. ; Kimura, K. ; Nakamura, K. ; Yoshida, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.211-214,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Fabrication of 700V SiC-SIT with Ultra-Low On-Resistance of 1.01mΩ･cm2
Tanaka, Y. ; Yano, K. ; Okamoto, M. ; Takatsuka, A. ; Fukuda, K. ; Kasuga, M. ; Arai, K. ; Yatsuo, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1219-1222,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. PREPARATION AND ELECTROCHEMICAL CHARACTERIZATION OF TRANSITION METAL OXIDE PARTICLES PREPARED IN SUPERCRITICAL WATER.
Kanamura, K. ; Umegaki, T. ; Toyoshima, K. ; Okada, K.-I. ; Hakuta, Y. ; Adschiri, T. ; Arai, K.
出版情報: Intercalation compounds for battery materials : proceedings of the international symposium.  pp.407-415,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-24
5.

国際会議録
国際会議録
5. Effects of Chemical Substances on Electrical Potential Oscillation Across an Octanol Liquid Membrane
Arai, K. ; Fukuyama, S. ; Kusu, F. ; Takamura, K.
出版情報: Proceedings of the fifth International Symposium on Redox Mechanisms and Interfacial Properties of Molecules of Biological Importance 1993.  pp.333-342,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-11
6.

国際会議録
国際会議録
6. Defect Characterization of 4H-SiC Bulk Crystals Grown on Micropipe Filled Seed Crystals
Kato, T. ; Kojima, K. ; Nishizawa, S. I. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.315-318,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
7.

国際会議録
国際会議録
7. 2-Inch 4H-SiC Homoepitaxial Layer Grown on On-Axis C-Face Substrate by CVD Method
Kojima, K. ; Okumura, H. ; Kuroda, S. ; Arai, K. ; Ohi, A. ; Akinaga, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.93-96,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
8.

国際会議録
国際会議録
8. Ground-to-OICETS laser communication experiments [6304-75]
Toyoshima, M. ; Takizawa, K. ; Kuri, T. ; Klaus, W. ; Toyoda, M. ; Kunimori, H. ; Jano. T. ; Takayama, Y. ; Kura, N. ; Ohinata, K. ; Arai, K. ; Shiratama, K.
出版情報: Free-space laser communications VI : 15-17 August 2006, San Diego, California, USA.  pp.63040B-,  2006.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 6304
9.

国際会議録
国際会議録
9. N+ -P JUNCTION LEAKAGE CURRENT GENERATED BY MICRO- DEFECTS IN DENUDED ZONE OF 64Mb DRAM SILICON SUBSTRATES
Horikawa, M. ; Mizutani, T. ; Suzuki, T. ; Arai, K.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.987-996,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
10.

国際会議録
国際会議録
10. Improvement of Plastic Workability of Rolled AZ31 Alloy Sheet by Surface Thermo-Mechanical Treatment
Yoshida, Y. ; Arai, K. ; Kamado, S. ; Kojima, Y.
出版情報: Magnesium-science, technology and applications : proceedings of the International Conference on Magnesium-Science, Technology and Applications September 20-24, 2004, Beijing, China.  pp.449-452,  2005.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 488-489
11.

国際会議録
国際会議録
11. Lifetime Control of the Minority Carrier in PiN Diodes by He+ Ion Implantation
Tanaka, Y. ; Kojima, K. ; Takao, K. ; Okamoto, M. ; Kawasaki, M. ; Takatsuka, A. ; Yatsuo, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.985-988,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
12.

国際会議録
国際会議録
12. OICETS on-orbit laser communication experiments (Invited Paper) [6105-36]
John, T. ; Takayama, Y. ; Kura, N. ; Ohinata, K. ; Koyama, Y. ; Shiratama ; Sodnik, Z. ; Demelenne, B. ; Bird, A. ; Arai, K.
出版情報: Free-space laser communication technologies XVIII : 24-25 January, 2006, San Jose, California, USA.  pp.610503-,  2006.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 6105
13.

国際会議録
国際会議録
13. Investigation of In-Grown Dislocations in 4II-SiC Epitaxial Layers
Kojima, K. ; Kato, T. ; Kuroda, S. ; Okumura, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.147-152,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
14.

国際会議録
国際会議録
14. Operational Design for Startup and Shutdown of Chemical Plants Based on a Topological Approach
YUJINAKA, R. Batres ; Adriani, A. ; Arai, K. ; Lu, M.L. ; Pradubsripetch, D. ; Lee, S. ; Yamada, I.
出版情報: AIChE 1995 SPRING MEETING -HOUSTON, TX- MARCH 19-23, 1995.  1995.  New York.  American Institute of Chemical Engineers
シリーズ名: AIChE meeting [papers]
シリーズ巻号: 1995
15.

国際会議録
国際会議録
15. Analysis of Low On-Resistance in 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFET
Harada, S. ; Okamoto, M. ; Yatsuo, T. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.813-816,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
16.

国際会議録
国際会議録
16. Investigation of Degradation of Inversion Channel Mobility of SiC MOSFET due to the Increase of Channel Doping
Hatakeyama, T. ; Watanabe, T. ; Senzaki, J. ; Kato, M. ; Fukuda, K. ; Shinohe, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.829-832,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
17.

国際会議録
国際会議録
17. Unsupervised texture classification method using appropriate training area selection based on genetic algorithms
Okumura, H. ; Maeda, M. ; Sueyasu, H. ; Togami, Y. ; Tadanou, T. ; Arai, K.
出版情報: Image and signal processing for remote sensing IX : 9-12 September 2003, Barcelona, Spain.  pp.452-460,  2004.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5238
18.

国際会議録
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18. Ground-to-satellite optical link tests between Japanese laser communications terminal and European geostationary satellite ARTEMIS
Toyoshima, M. ; Yamakawa, S. ; Yamawaki, T. ; Arai, K. ; Reyes, M. ; Alonso, A. ; Sodnik, Z. ; Demelenne, B.
出版情報: Free-space laser communication technologies XVI : 27, 29 January 2004, San Jose, California, USA.  pp.1-15,  2004.  Bellingham, Wash., USA.  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5338
19.

国際会議録
国際会議録
19. Automated corresponding point candidate selection for image registration using wavelet transmation, neural network with rotation invariant inputs, and context information about neighboring candidates
Okumura, H. ; Suezaki, M. ; Sueyasu, H. ; Arai, K.
出版情報: Image and signal processing for remote sensing VIII :24-27 September 2002, Agia Pelagia, Crete, Greece.  pp.401-410,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4885
20.

国際会議録
国際会議録
20. Approptiate training area selection for supervised texture classification by using the genetic aldorithms
Okumura, H. ; Maeda, M. ; Arai, K.
出版情報: Image and signal processing for remote sensing VIII :24-27 September 2002, Agia Pelagia, Crete, Greece.  pp.411-420,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4885
21.

国際会議録
国際会議録
21. 4.3 mΩcm2, 1100 V 4H-SiC Implantation and Epitaxial MOSFET
Harada, S. ; Kato, M. ; Okamoto, M. ; Yatsuo, T. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1281-1284,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
22.

国際会議録
国際会議録
22. Fabrication of 4H-SiC DIMOSFETs by High-Tempemture (>1400oC) Rapid Thermal Oxidation and Nitridation Using Cold-Wall Oxidation Furnace
Kosugi, R. ; Suzuki, K. ; Takao, K. ; Hayashi, Y. ; Yatsuo, T. ; Fukuda, K. ; Ohashi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1309-1312,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
23.

国際会議録
国際会議録
23. Enlargement of SiC Single Crystal: Enhancement of Lateral Growth using Tapered Graphite Lid
Bahng, W. ; Kitou, Y. ; Nishizawa, S. ; Yamaguchi, H. ; Khan, M. N. ; Oyanagi, N. ; Arai, K. ; Nishino, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.103-106,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
24.

国際会議録
国際会議録
24. Behavior of Plutonium Interacting With Bentonite and Sulfate-Reducing Anaerobic Bacteria
Kudo, A. ; Zheng, J. ; Cayer, I. ; Fujikawa, Y. ; Asano, H. ; Arai, K. ; Yoshikawa, H. ; Ito, M.
出版情報: Scientific basis for nuclear waste management XX : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.879-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 465
25.

国際会議録
国際会議録
25. A formation of SiO2/4H-SiC interface by oxidizing deposited poly-Si and high-temperature hydrogen annealing
Fukuda, H. ; Sakamoto, K. ; Nagai, K. ; Sekigawa, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.105-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
26.

国際会議録
国際会議録
26. Low-Temperature Activation of the Ion-Implanted Dopants in 4H-SiC by Excimer Laser Annealing
Tanaka, Y. ; Tanoue, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.799-802,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
27.

国際会議録
国際会議録
27. A Large Reduction in Interface-State Density for MOS Capacitor on 4H-SiC (11-2 0) Face Using H2 and H2O Vapor Atmosphere Post-Oxidation Annealing
Fukuda, K. ; Senzaki, J. ; Kushibe, M. ; Kojima, K. ; Kosugi, R. ; Suzuki, S. ; Harada, S. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1057-1060,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
28.

国際会議録
国際会議録
28. Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (11-20) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing
Senzaki, J. ; Fukuda, K. ; Kojima, K. ; Harada, S. ; Kosugi, R. ; Suzuki, S. ; Suzuki, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1061-1064,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
29.

国際会議録
国際会議録
29. Improvements in Electrical Properties of n-Type-Implanted 4H-SiC Substrates Using High-Temperature Rapid Thermal Annealing
Senzaki, J. ; Harada, S. ; Kosugi, R. ; Suzuki, S. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.795-798,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
30.

国際会議録
国際会議録
30. TCAD Optimisation of 4H-SiC Channel-Doped MOSFET with P-Polysilicon Gate
Adachi, K. ; Johnson, C.M. ; Arai, K. ; Fukuda, K. ; Harada, S. ; Shinohe, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1085-1088,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
31.

国際会議録
国際会議録
31. Improved Channel Mobility in Normally-Off 4H-SiC MOSFETs with Buried Channel Structure
Harada, S. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Kosugi, R. ; Adachi, K. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1069-1072,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
32.

国際会議録
国際会議録
32. Channel Engineering of Buried-Channel 4H-SiC MOSFET Based on the Mobility Model of the Oxide/4H-SiC Interface
Hatakeyama, T. ; Harada, S. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Kosugi, R. ; Fukuda, K. ; Shinohe, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1081-1084,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
33.

国際会議録
国際会議録
33. A Large Reduction in Interface-State Density for MOS Capacitor on 4H-SiC (11-2 0) Face Using H2 and H2O Vapor Atmosphere Post-Oxidation Annealing
Fukuda, K. ; Senzaki, J. ; Kushibe, M. ; Kojima, K. ; Kosugi, R. ; Suzuki, S. ; Harada, S. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1057-1060,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
34.

国際会議録
国際会議録
34. Significant Improvement of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFET on (11-20) Face Using Hydrogen Post-Oxidation Annealing
Senzaki, J. ; Fukuda, K. ; Kojima, K. ; Harada, S. ; Kosugi, R. ; Suzuki, S. ; Suzuki, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1061-1064,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
35.

国際会議録
国際会議録
35. Influence of the Crystalline Quality of Epitaxial Layers on Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs
Kojima, K. ; Ohno, T. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Harada, S. ; Fukuda, K. ; Kushibe, M. ; Masahara, K. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1053-1056,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
36.

国際会議録
国際会議録
36. Influence of the Wet Re-Oxidation Procedure on Inversion Mobility of 4H-SiC MOSFETs
Kosugi, R. ; Okamoto, M. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Harada, S. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1049-1052,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
37.

国際会議録
国際会議録
37. Observation of SiO2/SiC Interface with Different Off-Angle from Si(0001) Face Using Transmission Electron Microscopy
Fukuda, K. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Kosugi, R. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.647-650,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
38.

国際会議録
国際会議録
38. Interface Properties of MOS Structures Formed on 4H-SiC C(000-1) Face
Fukuda, K. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Cho, W.J. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.631-634,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
39.

国際会議録
国際会議録
39. Distribution Profile of Deep Levels in SiC Observed by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy
Fujimaki, M. ; Ono, Rudi ; Kushibe, M. ; Masahara, K. ; Kojima, K. ; Shinohe, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.851-854,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
40.

国際会議録
国際会議録
40. Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS)
Ono, R. ; Fujimaki, M. ; Senzaki, J. ; Tanimoto, S. ; Shinohe, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.847-850,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
41.

国際会議録
国際会議録
41. Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance
Na, H.J. ; Kim, H.J. ; Adachi, K. ; Kiritani, N. ; Tanimoto, S. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1383-1386,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
42.

国際会議録
国際会議録
42. Resistivity Reduction of Thin Polycrystalline Silicon Films Crystallized from In Situ Phosphorus-Doped Amorphous Silicon Deposited Using Silane or Disilane
Oguro, S. ; Shishiguchi, S. ; Arai, K.
出版情報: ULSI science and technology, 1995 : proceedings of the Fifth International Symposium on Ultra Large Scale Integration Science and Technology.  pp.504-511,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-5
43.

国際会議録
国際会議録
43. Comparison of Super-Junction Structures in 4H-SiC and Si for High Voltage Applications
Adachi, K. ; Johnson, C.M. ; Ohashi, H. ; Shinohe, T. ; Kinoshita, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.719-722,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
44.

国際会議録
国際会議録
44. Effect of Off-Angle from Si (0001) Surface and Polytype on Surface Morphology of SiC and C-V Characteristics of SiC MOS Structures
Fukuda, K. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Kosugi, R. ; Nagai, K. ; Sekigawa, T. ; Okushi, H. ; Yoshida, S. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1283-1286,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
45.

国際会議録
国際会議録
45. Super-Junction Device Forward Characteristics and Switched Power Limitations
Adachi, K. ; Johnson, C.M. ; Ohashi, H. ; Shinohe, T. ; Kinoshita, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1251-1254,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
46.

国際会議録
国際会議録
46. Electrical Characteristics and Surface Morphology for Arsenic Ion-Implanted 4H-SiC at High Temperature
Senzaki, J. ; Fukuda, K. ; Imai, S. ; Tanaka, Y. ; Kobayashi, N. ; Tanoue, H. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.865-868,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
47.

国際会議録
国際会議録
47. Effect of Post-Oxidation-Annealing in Hydrogen on SiO2/4H-SiC Interface
Suzuki, S. ; Fukuda, K. ; Okushi, H. ; Nagai, K. ; Sekigawa, T. ; Yoshida, S. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1073-1076,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
48.

国際会議録
国際会議録
48. Shape of SiC Bulk Single Crystal Grown by Sublimation
Nishizawa, S. ; Kitou, Y. ; Bahng, W. ; Oyanagi, N. ; Khan, M. N. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.99-102,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
49.

国際会議録
国際会議録
49. High Temperature Rapid Thermal Oxidation and Nitridation of 4H-SiC in Diluted N2O and NO Ambient
Kosugi, R. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.669-672,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
50.

国際会議録
国際会議録
50. SiC Single Crystal Growth Rate Measurement by in-Situ Observation using the Transmission X-Ray Technique
Oyanagi, N. ; Nishizawa, S. ; Kato, T. ; Yamaguchi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.75-78,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
51.

国際会議録
国際会議録
51. Pressure Effect in Sublimation Growth of Bulk SiC
Kitou, Y. ; Bahng, W. ; Nishizawa, S. ; Nishino, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.83-86,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
52.

国際会議録
国際会議録
52. Comprehensive Study of Impact Ionization Coefficients of 4H-SiC
Hatakeyama, T. ; Watanabe, T. ; Kojima, K. ; Sano, N. ; Shinohe, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide 2004--materials, processing and devices : symposium held April 14-15, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.157-162,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 815
53.

国際会議録
国際会議録
53. Preparation techniques and ionic transport properties of ceria-based electrolytes
Li, Guangshe ; Smith, R.L., Jr. ; Inomata, H. ; Arai, K.
出版情報: Ionic and mixed conducting ceramics : proceedings of the fourth international symposium.  pp.36-48,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-28
54.

国際会議録
国際会議録
54. Competitive Growth between Deposition and Etching in 4H-SiC CVD Epitaxy Using Quasi-Hot Wall Reactor
Kushibe, M. ; Ishida, Y. ; Okumura, H. ; Takahashi, T. ; Masahara, K. ; Ohno, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.169-172,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
55.

国際会議録
国際会議録
55. Pre-Growth Treatment of 4H-SiC Substrates by Hydrogen Etching at Low Pressure
Masahara, K. ; Ishida, Y. ; Okumura, H. ; Takahashi, T. ; Kushibe, M. ; Ohno, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1037-1040,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
56.

国際会議録
国際会議録
56. Hall Effect Measurements At Low Temperature Of Arsenic Implanted Into 4H-Silicon Carbide
Senzaki, J. ; Fukuda, K. ; Ishida, Y. ; Tanaka, Y. ; Tanoue, H. ; Kobayashi, N. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Wide-bandgap electronic devices.  pp.T6.7-,  2001.  Warrendale, PA..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 622
57.

国際会議録
国際会議録
57. Temperature Gradient Effect on SiC Epitaxy in Liquid Phase
Khan, M. N. ; Nishizawa, S. ; Bahng, W. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.233-236,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
58.

国際会議録
国際会議録
58. In-Situ Observation of SiC Bulk Single Crystal Growth by X-Ray Topography
Kato, T. ; Oyanagi, N. ; Yamaguchi, H. ; Takano, Y. ; Nishizawa, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.457-460,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
59.

国際会議録
国際会議録
59. Temperature Dependences of Channel Mobility and Threshold Voltage in 4H- and 6H-SiC MOSFETs
Harada, S. ; Kosugi, R. ; Senzaki, J. ; Suzuki, S. ; Cho, W.J. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide--materials, processing and devices : symposium held November 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 640
60.

国際会議録
国際会議録
60. X-Ray Topographic Study of SiC Crystal at High Temperature
Yamaguchi, H. ; Oyanagi, Na. ; Kato, T. ; Takano, Y. ; Nishizawa, S. ; Bahng, W. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.461-464,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
61.

国際会議録
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61. Influence of Stacking Faults on the I-V Characteristics of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on the (11-20) Face
Kojima, K. ; Ohno, T. ; Fujimoto, T. ; Katsuno, M. ; Ohtani, N. ; Nishio, J. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.925-928,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
62.

国際会議録
国際会議録
62. Influence of the Wet Re-Oxidation Procedure on Inversion Mobility of 4H-SiC MOSFETs
Kosugi, R. ; Okamoto, M. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Harada, S. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1049-1052,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
63.

国際会議録
国際会議録
63. High-Energy X-Ray Synchrotron Radiation Analysis of Residual-Stress Distribution of Shot-Peened Steel
Tanaka, K. ; Akiniwa, Y. ; Suzuki, K. ; Yanase, E. ; Nishio, K. ; Kusumi, Y. ; Arai, K.
出版情報: ECRS 6 : proceedings of the 6th European Conference on Residual Stresses, Coimbra, Portugal, 10-12 July, 2002.  pp.341-348,  2002.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 404-407
64.

国際会議録
国際会議録
64. Deep UV Excitation Raman Spectroscopy of Homoepitaxial 4H-SiC Films Grown by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
Okamoto, M. ; Kosugi, R. ; Nakashima, S. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.629-632,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
65.

国際会議録
国際会議録
65. Single Contact-Material MESFETs on 4H-SiC
Tanimoto, S. ; Inada, M. ; Kiritani, N. ; Hoshi, M. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1221-1224,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
66.

国際会議録
国際会議録
66. Flux-Controlled Sublimation Growth by an Inner Guide-Tube
Kitou, Y. ; Bahng, W. ; Kato, T. ; Nishizawa, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.83-86,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
67.

国際会議録
国際会議録
67. Numerical Simulation of Heat and Mass Transfer in SiC Sublimation Growth
Nishizawa, S. ; Kato, T. ; Kitou, Y. ; Oyanagi, N. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.43-46,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
68.

国際会議録
国際会議録
68. Growth and Evaluation of High Quality SiC Crystal by Sublimation Method
Oyanagi, N. ; Yamaguchi, H. ; Kato, T. ; Nishizawa, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.87-90,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
69.

国際会議録
国際会議録
69. Dislocation Constraint by Etch-Back Process of Seed Crystal in SiC Bulk Crystal Growth
Kato, T. ; Oyanagi, N. ; Kitou, Y. ; Nishizawa, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.111-114,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
70.

国際会議録
国際会議録
70. A Method of Reducing Micropipes in Thin Films by Using Sublimation Growth
Oyanagi, N. ; Nishizawa, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.107-110,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
71.

国際会議録
国際会議録
71. Characterization of Inclusions in SiC Bulk Crystals Grown by Modified Lely Method
Hirose, F. ; Kitou, Y. ; Oyanagi, N. ; Kato, T. ; Nishizawa, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.75-78,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
72.

国際会議録
国際会議録
72. Epitaxial Growth of (11-20) 4H-SiC Using Substrate Grown in the [11-20] Direction
Kojima, K. ; Ohno, T. ; Senzaki, J. ; Fukuda, K. ; Fujimoto, T. ; Katsuno, M. ; Ohtani, N. ; Nishino, J. ; Masahara, K. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.195-198,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
73.

国際会議録
国際会議録
73. Simulation of High-Temperature SiC Epitaxial Growth Using Vertical, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor
Hasegawa, M. ; Miyauchi, A. ; Masahara, K. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Ohno, T. ; Nishio, J. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.227-230,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
74.

国際会議録
国際会議録
74. Impact Ionization Coefficients of 4H-SiC
Hatakeyama, T. ; Watanabe, T. ; Kojima, K. ; Sano, N. ; Shiraishi, K. ; Kushibe, M. ; Imai, S. ; Shinohe, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.673-676,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
75.

国際会議録
国際会議録
75. Investigation of Residual Impurities in 4H-SiC Epitaxial Layers Grown by Hot-Wall Chemical Vapor Deposition
Nishio, J. ; Kushibe, M. ; Masahara, K. ; Kojima, K. ; Ohno, T. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.215-218,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
76.

国際会議録
国際会議録
76. SiC Device Limitation Breakthrough with Novel Floating Junction Structure on 4H-SiC
Adachi, K. ; Omura, I. ; Ono, R. ; Nishio, J. ; Shinohe, T. ; Ohashi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.887-890,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
77.

国際会議録
国際会議録
77. Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance
Na, H. J. ; Kim, H. J. ; Adachi, K. ; Kiritani, N. ; Tanimoto, S. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1383-1386,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
78.

国際会議録
国際会議録
78. High-Rate Epitaxial Growth of 4H-SiC Using a Vertical-Type, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor
Masahara, K. ; Takahashi, T. ; Kushibe, M. ; Ohno, T. ; Nishio, J. ; Kojima, K. ; Ishida, Y. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.179-182,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
79.

国際会議録
国際会議録
79. The Theoretical Study on Total Power Dissipation of SiC Devices in Comparison with Si Devices
Adachi, K. ; Ohashi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1233-1236,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
80.

国際会議録
国際会議録
80. Defect Analysis of SiC Sublimation Growth by the In-Situ X-Ray Topography
Kato, T. ; Oyanagi, N. ; Yamaguchi, H. ; Nishizawa, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.295-298,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
81.

国際会議録
国際会議録
81. Influence of the Crystalline Quality of Epitaxial Layers on Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs
Kojima, K. ; Ohno, T. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Harada, S. ; Fukuda, K. ; Kushibe, M. ; Masahara, K. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1053-1056,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
82.

国際会議録
国際会議録
82. Observation of the Quasi-Direct Recombination in Nanocrystalline Silicon Dots by Reducing the Core Diameter
Arai, K. ; Omachi, J. ; Oda, S.
出版情報: Advanced luminescent materials and quantum confinement II : proceedings of the international symposium.  pp.109-122,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-9
83.

国際会議録
国際会議録
83. Defects induced by heavy-metal on bonded SOI wafer surfaces
Okonogi, K. ; Kikuchi, H. ; Arai, K.
出版情報: Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.38-43,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-11
84.

国際会議録
国際会議録
84. Fabrication of 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFETs
Harada, S. ; Okamoto, M. ; Yatsuo, T. ; Adachi, K. ; Suzuki, K. ; Suzuki, S. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1421-1424,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
85.

国際会議録
国際会議録
85. Relationship between the Current Direction in the Inversion Layer and the Electrical Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors on 3C-SiC
Ohshima, T. ; Lee, K.K. ; Ishida, Y. ; Kojima, K. ; Tanaka, Y. ; Takahashi, T. ; Yoshikawa, M. ; Okumura, H. ; Arai, K. ; Kamiya, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1405-1408,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
86.

国際会議録
国際会議録
86. Comparative Study of Heteroepitaxially and Homoepitaxially Grown 3C-SiC Films
Takahashi, T. ; Ishida, Y. ; Tsuchida, H. ; Kamata, I. ; Okumura, H. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.323-326,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
87.

国際会議録
国際会議録
87. Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Thin Film Below 1000oC by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
Okamoto, M. ; Kosugi, R. ; Tanaka, Y. ; Takeuchi, D. ; Nakashima, S. ; Nishizawa, S. ; Fukuda, K. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.299-302,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
88.

国際会議録
国際会議録
88. Improvement of unsupervised texture classification based on genetic algorithms
Okumura, H. ; Togami, Y. ; Arai, K.
出版情報: Image and signal processing for remote sensing X : 13-15 September 2004, Maspalomas, Gran Canaria, Spain.  pp.471-480,  2004.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5573
89.

国際会議録
国際会議録
89. Oxygen Precipitate Distribution in Bonded SOI Wafers
Okonogi, K. ; Kikuchi, H. ; Arai, K.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding : physics and applications.  pp.290-295,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-7
90.

国際会議録
国際会議録
90. Growth Rate of S-Carboxymethyl-D-cysteine and Its Optical Resolution
Yokota, M. ; Oguchi, T. ; Arai, K. ; Toyokura, Ken ; Inoue, C. ; Naijyo, H.
出版情報: Crystallization as a separations process.  pp.271-,  1990.  Washington, DC.  American Chemical Society
シリーズ名: ACS symposium series
シリーズ巻号: 438
91.

国際会議録
国際会議録
91. Continuous Growth of SiC Single Crystal by the Spray Dried Powder Made of Ultra-Fine Particle Precursors
Yamada, Y. ; Nishizawa, S. ; Nakashima, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.131-134,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
92.

国際会議録
国際会議録
92. High-Quality SiC Bulk Single Crystal Growth Based on Simulation and Experiment
Nishizawa, S.I. ; Kato, T. ; Kitou, Y. ; Oyanagi, N. ; Hirose, F. ; Yamaguchi, H. ; Bahng, W. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.29-34,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
93.

国際会議録
国際会議録
93. Control of Surface Morphologies for Epitaxial Growth on Low Off-Angle 4H-SiC (0001) Substrates
Masahara, K. ; Kushibe, M. ; Ohno, H. ; Kojima, K. ; Takahashi, T. ; Ishida, Y. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.135-138,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
94.

国際会議録
国際会議録
94. Breakdown Electric Field in 4H-SiC Epitaxial Layer Grown on Various Net-Doping Substrates
Ono, R. ; Fujimaki, M. ; Hon-Joo, N. ; Tanimoto, S. ; Shinohe, T. ; Yatsuo, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.435-438,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
95.

国際会議録
国際会議録
95. Simulation of High-Temperature SiC Epitaxial Growth Using Vertical, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor
Hasegawa, M. ; Miyauchi, A. ; Masahara, K. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Ohno, T. ; Nishio, J. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.227-230,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
96.

国際会議録
国際会議録
96. Mapping on Bulk and Epitaxy Layer 4H-SiC
Ono, R. ; Yatsuo, T. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.431-434,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
97.

国際会議録
国際会議録
97. Investigation of Residual Impurities in 4H-SiC Epitaxial Layers Grown by Hot-Wall Chemical Vapor Deposition
Nishio, J. ; Kushibe, M. ; Masahara, K. ; Kojima, K. ; Ohno, T. ; Ishida, Y. ; Takahashi, T. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.215-218,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
98.

国際会議録
国際会議録
98. Measurement of Hall Mobility in 4H-SiC for Improvement of the Accuracy of the Mobility Model in Device Simulation
Hatakeyama, T. ; Watanabe, T. ; Kushibe, M. ; Kojima, K. ; Imai, S. ; Suzuki, T. ; Shinohe, T. ; Tanaka, T. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.443-446,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
99.

国際会議録
国際会議録
99. Effects of Annealing Conditions on Resistance Lowering of High-Phosphorus-Implanted 4H-SiC
Senzaki, J. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.901-904,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
100.

国際会議録
国際会議録
100. High-Rate Epitaxial Growth of 4H-SiC Using a Vertical-Type, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor
Masahara, K. ; Takahashi, T. ; Kushibe, M. ; Ohno, T. ; Nishio, J. ; Kojima, K. ; Ishida, Y. ; Suzuki, T. ; Tanaka, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.179-182,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393