1.

国際会議録
国際会議録
1. INVITED: Si AND SiGe SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH BY UHV-CVD
Tatsumi, T. ; Aoyama, K.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.798-811,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Copper Damascene Using Low-Dielectric Constant Fluorinated Amorphous Carbon Interlayer
Matsubara, Y. ; Endo, K. ; Iguchi, M. ; Ito, N. ; Aoyama, K. ; Tatsumi, T. ; Horiuchi, T.
出版情報: Low-dielectric constant materials IV : symposium held April 14-16, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.291-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 511
3.

国際会議録
国際会議録
3. Impurity Activation in N+ Ion-Implanted 6H-SiC with Pulsed Laser Annealing Method
Eryu, O. ; Aoyama, K. ; Abe, K. ; Nakashima, K.
出版情報: Silicon carbide--materials, processing and devices : symposium held November 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 640
4.

国際会議録
国際会議録
4. Inclusion of selenium in ferrite crystals
Taguchi, Y. ; Ohizumi, M. ; Aoyama, K. ; Katoh, K.
出版情報: Separation and purification by crystallization.  pp.277-288,  1997.  Washington, D.C..  American Chemical Society
シリーズ名: ACS symposium series
シリーズ巻号: 667