1.

国際会議録
国際会議録
1. Scaling Issues for Advanced SOI Devices: Gate Oxide Tunneling, Thin Buried Oxide, and Ultra-Thin Films
Pretet, J. ; Ohata, A. ; Dieudonne, F. ; Allibert, F. ; Bresson, N. ; Matsumoto, T. ; Poiroux, T. ; Jomaah, J. ; Cristoloveanu, S.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.476-487,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
2.

国際会議録
国際会議録
2. Special Frequency-Dependent Transient Mechanisms in SO1 MOSFETs Measured by a New Technique: The Average Transient Current
Ernst, T. ; Lakeou, S. ; Allibert, F. ; Pretet, J. ; Cristoloveanu, S.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.175-180,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
3.

国際会議録
国際会議録
3. Characterization and modeling of advanced SOI materials and devices
Allibert, F. ; Pretet, J. ; Ernst, T. ; Jomaah, J. ; Cristoloveanu, S.
出版情報: Progress in SOI structures and devices operating at extreme conditions.  pp.239-248,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 58