1.

国際会議録
国際会議録
1. Mid-infrared photodetectors based on the lnAs/InGaSb type-Il superlattices
Lin,C.-H. ; Brown,G.J. ; Mitchel,W.C. ; Ahoujja,M. ; Szmulowicz,F.
出版情報: Photodetectors : materials and devices III : 28-30 January 1998, San Jose, California.  pp.22-29,  1998.  Bellingham, Wash., USA.  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3287
2.

国際会議録
国際会議録
2. New Developments in III-Nitride Material and Device Applications
Razeghi,M. ; Saxler,A. ; Kung,P. ; Walker,D. ; Zhang,X. ; Kim,K.S. ; Vydyanath,H.R. ; Solomon,J. ; Ahoujja,M. ; Mitchel,W.C.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 1  pp.277-284,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
3.

国際会議録
国際会議録
3. GaN deep-level capture barriers
Johnstone,D.K. ; Ahoujja,M. ; Yeo,Y.K. ; Guido,L.J.
出版情報: Photodetectors : materials and devices VI : 22-24 January 2001, San Jose, USA.  pp.209-218,  2001.  Bellingham, Wash., USA.  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4288
4.

国際会議録
国際会議録
4. Deep Levels in SiC:V by High Temperature Transport Measurements
Mitchel,W.C. ; Perrin,R. ; Goldstein,J. ; Roth,M. ; Ahoujja,M. ; Smith,S.R. ; Evwaraye,A.O. ; Solomon,J.S. ; Landis,G. ; Jenny,J. ; Hobgood,H.McD. ; Augustine,G. ; Balakrishna,V.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.545-548,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
5.

国際会議録
国際会議録
5. GaN doped with sulphur
Saxier,A. ; Kung,P. ; Zhang,X. ; Walker,D. ; Soiomon,J. ; Ahoujja,M. ; Mitchel,W.C. ; Vydyanath,H.R. ; Razeghi,M.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1161-1166,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
6.

国際会議録
国際会議録
6. Electrical characterization of AlxGa1-xN for UV photodetector applications
Saxler,A.W. ; Ahoujja,M. ; Mitchel,W.C. ; Kung,P. ; Walker,D. ; Razeghi,M.
出版情報: Photodetectors : materials and devices IV : 27-29 January 1999, San Jose, California.  pp.211-222,  1999.  Bellingham, Wash., USA.  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3629