1.

国際会議録
国際会議録
1. TCAD Optimisation of 4H-SiC Channel-Doped MOSFET with P-Polysilicon Gate
Adachi, K. ; Johnson, C.M. ; Arai, K. ; Fukuda, K. ; Harada, S. ; Shinohe, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1085-1088,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
2.

国際会議録
国際会議録
2. Improved Channel Mobility in Normally-Off 4H-SiC MOSFETs with Buried Channel Structure
Harada, S. ; Suzuki, S. ; Senzaki, J. ; Kosugi, R. ; Adachi, K. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1069-1072,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
3.

国際会議録
国際会議録
3. Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance
Na, H.J. ; Kim, H.J. ; Adachi, K. ; Kiritani, N. ; Tanimoto, S. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1383-1386,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
4.

国際会議録
国際会議録
4. Comparison of Super-Junction Structures in 4H-SiC and Si for High Voltage Applications
Adachi, K. ; Johnson, C.M. ; Ohashi, H. ; Shinohe, T. ; Kinoshita, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.719-722,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
5.

国際会議録
国際会議録
5. Super-Junction Device Forward Characteristics and Switched Power Limitations
Adachi, K. ; Johnson, C.M. ; Ohashi, H. ; Shinohe, T. ; Kinoshita, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1251-1254,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
6.

国際会議録
国際会議録
6. SiC Device Limitation Breakthrough with Novel Floating Junction Structure on 4H-SiC
Adachi, K. ; Omura, I. ; Ono, R. ; Nishio, J. ; Shinohe, T. ; Ohashi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.887-890,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
7.

国際会議録
国際会議録
7. Fabrication of 4H-SiC Planar MESFETs Having Low Contact Resistance
Na, H. J. ; Kim, H. J. ; Adachi, K. ; Kiritani, N. ; Tanimoto, S. ; Okushi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1383-1386,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
国際会議録
8. The Theoretical Study on Total Power Dissipation of SiC Devices in Comparison with Si Devices
Adachi, K. ; Ohashi, H. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1233-1236,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
9.

国際会議録
国際会議録
9. Fabrication of 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFETs
Harada, S. ; Okamoto, M. ; Yatsuo, T. ; Adachi, K. ; Suzuki, K. ; Suzuki, S. ; Fukuda, K. ; Arai, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1421-1424,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
10.

国際会議録
国際会議録
10. TCAD Optimisation of 4H-SiC Channel-Doped MOSFET with P-Polysilicon Gate
Adachi, K. ; Johnson, C.M. ; Arai, K. ; Fukuda, K. ; Harada, S. ; Shinohe, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1085-1088,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393