1.

国際会議録
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1. CURRICULUM VITAE OF OXIDE PRECIPITATES: FROM NUCLEATION DURING CRYSTAL GROWTH TO THEIR FINAL DESTINATION IN PROCESSED WAFERS
Kissinger, G. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; Dornberger, E. ; Sorge, R. ; Morgenstern, G. ; Grabolla, T. ; Graef, D. ; von Ammon, W. ; Wagner, P. ; Richter, H.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1095-1112,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
2.

国際会議録
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2. TURBULENT MELT CONVECTION AND ITS IMPLICATION ON LARGE DIAMETER SILICON CZOCHRALSKI CRYSTAL GROWTH
Seidl, A. ; Mueller, G. ; Dornberger, E. ; Tomzig, E. ; Reyer, B. ; von Ammon, W.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.417-428,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
3.

国際会議録
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3. SIMULATION OF NON-UNIFORM GROWN-IN VOID DISTRIBUTIONS IN CZOCHRALSKI IN SILICON CRYSTAL
Dornberger, E. ; Esfandyari, J. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Dupret, F. ; von Ammon, W.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.490-502,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
4.

国際会議録
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4. Grown-in oxide precipitate nuclei in Czochralski silicon substrates and their role in device processing
Kissinger, G. ; Grabolla, T. ; Morgenstern, G. ; Richter, H. ; Graef, D. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; von Ammon, W.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.74-87,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
5.

国際会議録
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5. Determination of Intrinsic Point Defect Properties in Silicon by Analyzing OSF-Ring Dynamics and Void Formation
Dornberger, E. ; Sinno, T. ; Esfandyari, J. ; Vanhellemont, J. ; Brown, R.A. ; von Ammon, W.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.170-187,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
6.

国際会議録
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6. D-defects and metal-related flow patterns
Kissinger, G. ; Morgenstern, G. ; Richter, H. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; von Ammon, W. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.32-39,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
7.

国際会議録
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7. Simulation of grown-in voids in Czochralski silicon crystals
Dornberger, E. ; Esfandyari, J. ; Graef, D. ; Vanhellemont, J. ; Lambert, U. ; Dupret, F. ; von Ammon, W.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.40-49,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
8.

国際会議録
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8. INTRODUCTORY REMARKS - SILICON MATERIALS: GENERIC ISSUES
von Ammon, W. ; Shigematsu, T.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.209-211,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
9.

国際会議録
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9. ARGON-ANNEALED 300mm WAFERS COMPLEMENTING PP- EPITAXIAL LAYERS
Muller, T. ; Siebert, W. ; Messmann, K. ; Wablich, R. ; Krottenthaler, P. ; Hoelzl, R. ; Ikari, A. ; von Ammon, W.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.194-208,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
10.

国際会議録
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10. DEFECTS IN SILICON CRYSTALS AND THEIR IMPACT ON TRENCH CAPACITOR DRAM DEVICE CHARACTERISTICS
Dornberger, E. ; Temmler, D. ; von Ammon, W.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.227-240,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2