1.

国際会議録
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1. Behavior of W and WSix Contact Metallization on n- and P-Type GaN
Cao, X. A. ; Ren, F. ; Lothian, J. R. ; Pearton, S. J. ; Abernathy, C. R. ; Zolper, J. C. ; Cole, M. W. ; Zeitouny, A. ; Eizenberg, M. ; Shul, R. J.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G6.39.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
2.

国際会議録
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2. Activation characteristics of donor and acceptor implants in GaN
Cao, X. A. ; Pearton, S. J. ; Singh, R. K. ; Wilson, R. G. ; Sekhar, J. A. ; Zolper, J. C. ; Han, J. ; Rieger, D. J. ; Shul, R. J. ; Guo, H. J. ; Pennycook, S. J. ; Zavada, J. M.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.513-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
3.

国際会議録
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3. Properties of H, O and C in GaN
Pearton, S. J. ; Abernathy, C. R. ; Lee, J. W. ; Vartuli, C. B. ; MacKenzie, J. D. ; Ren, F. ; Wilson, R. G. ; Zavada, J. M. ; Shul, R. J. ; Zolper, J. C.
出版情報: Compound semiconductor electronics and photonics : symposium held April 8-10, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.347-,  1996.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 421
4.

国際会議録
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4. Ion Implantation for High Performance III-V JFETs and HFETs
Zolper, J. C. ; Baca, A. G. ; Sherwin, M. E. ; Klem, J. F.
出版情報: Compound semiconductor electronics and photonics : symposium held April 8-10, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.209-,  1996.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 421
5.

国際会議録
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5. Chemical Etching of AlN and InAlN in KOH Solutions
Vartuli, C. B. ; Lee, J. W. ; MacKenzie, J. D. ; Pearton, S. J. ; Abernathy, C. R. ; Zolper, J. C. ; Shul, R. J. ; Ren, F.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.1017-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
6.

国際会議録
国際会議録
6. Complementary HFET Technology for Low-Power Mixed-Mode Applications
Baca, A. G. ; Sherwin, M. E. ; Zolper, J. C. ; Dubbert, D. F. ; Hietala, V. M. ; Shul, R. J. ; Sloan, L. R. ; Hafich, M. J.
出版情報: Compound semiconductor electronics and photonics : symposium held April 8-10, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.227-,  1996.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 421
7.

国際会議録
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7. Ion Implantation and Annealing Studies in III-V Nitrides
Zolper, J. C. ; Pearton, S. J. ; Williams, J. S. ; Tan, H. H. ; Karlicek, R. J., Jr. ; Stall, R. A.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.981-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
8.

国際会議録
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8. Ultrahigh Implant Activation Efficiency in GaN Using Novel High Temperature RTP System
Cao, X. A. ; Abernathy, C. R. ; Singh, R. K. ; Pearton, S. J. ; Fu, M. ; Sarvepalli, V. ; Sekhar, J. A. ; Zolper, J. C. ; Rieger, D. J. ; Han, J. ; Drummond, T. J. ; Shul, R. J. ; Wilson, R. G.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.463-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 512
9.

国際会議録
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9. Junction Field-Effect Transistors for High-Temperature or High-Power Electronics
Zolper, J. C.
出版情報: Power semiconductor materials and devices : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.83-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 483
10.

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10. The Effect of Hydrogen Carrier Gas on the Morphological Evolution and Material Properties of GaN on Sapphire
Ng, T. B. ; Han, J. ; Biefeld, R. M. ; Zolper, J. C. ; Crawford, M. H. ; Follstaedt, D. M.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.143-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482