1.

国際会議録
国際会議録
1. LATTICE RELAXATION OF THE DX CENTERS IN Ga1-XAlXAs AND OF THE PRESSURE-INDUCED DEEP DONORS IN GaAs
Li, M. F. ; Shan, W. ; Yu, P. Y. ; Hansen, W. L. ; Weber, E. R. ; Bauser, E.
出版情報: Defects in electronic materials : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.573-578,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 104
2.

国際会議録
国際会議録
2. High-Pressure Studies of Quantum Well Emission and Deep Emission in GalnP(ordered)-GaAs Heterostructures
Kwok, S. H. ; Yu, P. Y. ; Uchida, K. ; Arai, T.
出版情報: High-pressure materials research : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.195-,  1998.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 499
3.

国際会議録
国際会議録
3. A study of Band Alignment in GaAs/GaInP (Partially Ordered) Heterostructures with High Pressure
Uchida, K. ; Yu, P. Y. ; Zeman, J. ; Kwok, S. H. ; Teo, K. L. ; Su, Z. P. ; Martinez, G. ; Arai, T. ; Matsumoto, K.
出版情報: High-pressure materials research : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.381-,  1998.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 499