1.

国際会議録
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1. Effects of the High-Refractive Index SiN Passivation on AlGaN/GaN HFETs With a Very Low Gate-Leakage Current
Kambayashi, Hiroshi ; Wada, Takahiro ; Ikeda, Nariaki ; Yoshida, Seikoh
出版情報: GaN, AlN, InN and related materials : symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.69-76,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 892
2.

国際会議録
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2. High Power AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode With 1000 V Operation
Yoshida, Seikoh ; Ikeda, Nariaki ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Kambayashi, Hiroshi ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN, AlN, InN and related materials : symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.63-68,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 892
3.

国際会議録
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3. A High-Power AlGaN/GaN Hetero Field-Effect Transistor
Yoshida, Seikoh ; Ishii, Hirotatsu
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.805-810,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693
4.

国際会議録
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4. Nitride-Rich Hexagonal GaNP Growth Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Yoshida, Seikoh ; Itoh, Yoshiteru ; Kikawa, Junjiroh
出版情報: GaN and related alloys - 2000 : symposium held November 27-December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 639
5.

国際会議録
国際会議録
5. High Temperature Operation of a New Normally-Off AlGaN/GaN HFET on Si Substrate
Yoshida, Seikoh ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN and related alloys - 2003 : symposium held December 1-5, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.67-72,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 798
6.

国際会議録
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6. AlGaN/GaN HFETs for Automotive Applications
Birkhahn, Ronald ; Gotthold, David ; Cauffman, Nathan ; Peres, Boris ; Yoshida, Seikoh
出版情報: GaN and related alloys - 2002 : symposium held December 2-6, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.779-782,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 743
7.

国際会議録
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7. Fabrication of a High Power GaN Metal Semiconductor Field-Effect Transistor
Yoshida, Seikoh ; Ishii, Hirotatsu
出版情報: GaN and related alloys - 2000 : symposium held November 27-December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 639
8.

国際会議録
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8. AlGaN/GaN Field Effect Schottky Barrier Diode for a Low Loss Switching Device
Yoshida, Seikoh ; Ikeda, Nariaki ; Li, Jiang ; Hataya, Kohji ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.343-348,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831
9.

国際会議録
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9. Normally-off operation GaN HFET using a thin AlGaN layer for low loss switching devices
Ikeda, Nariaki ; Kato, Kazuo ; Li, Jiang ; Hataya, Kohji ; Yoshida, Seikoh
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.355-360,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831
10.

国際会議録
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10. Electrical Properties of GaN/Si Grown by MOCVD
Yoshida, Seikoh ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN and related alloys - 2002 : symposium held December 2-6, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.145-150,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 743