1.

国際会議録
国際会議録
1. Growth and Characterization of 13C Enriched 4H-SiC for Fundamental Materials Studies
Y.S. Jang ; S.A. Sakwe ; P.J. Wellmann ; S. Juillaguet ; H. Peyre ; J. Camassel ; J.W. Steeds
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.13-16,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
2.

国際会議録
国際会議録
2. Soft Ground Improvements Using Natural Fiber
J.H. Kim ; S.D. Cho ; Y.S. Jang ; S.S. Kim
出版情報: Eco-materials processing and design VIII : ISEPD-8, proceedings of the 8th International Symposium on Eco-Materials Processing and Design, January 11-13, 2007, Kitakyushu, Japan.  pp.629-632,  2007.  Stafa-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 544-545
3.

国際会議録
国際会議録
3. Defect Etching of Non-Polar and Semi-Polar Faces in SiC
S.A. Sakwe ; Y.S. Jang ; P.J. Wellmann
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.243-246,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
4.

国際会議録
国際会議録
4. Finite Element Analysis on Superplastic Blow Forming of Ti-6Al-4V Multi-Sheets
J.H. Yoon ; H.S. Lee ; Y.M. Yi ; Y.S. Jang
出版情報: Aerospace materials : Progress in light metals, aerospace materials and superconductors . 2006 BIMW : 2006 Beijing International Materials Week, June 25-30, 2006, Beijing, China.  546-549  pp.1361-1366,  2007.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 546-549(3)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Effect of Porous Graphite for High Quality SiC Crystal Growth by PVT Method
H.J. Lee ; H.T. Lee ; H.W. Shin ; M.S. Park ; Y.S. Jang
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France.  pp.43-46,  2015.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 821-823
6.

国際会議録
国際会議録
6. High Quality 3C-SiC (111) Epitaxial Layer on Si (110) Substrate by Using Si2Cl6+C3H8
H.T. Lee ; H.J. Lee ; M.S. Park ; Y.S. Jang ; W.J. Lee
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France.  pp.197-200,  2015.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 821-823
7.

国際会議録
国際会議録
7. Effect of Various Crucibles for High Quality AIN Crystal Growth on SiC Seed by PVT Method
H.J. Lee ; H.T. Lee ; H.W. Shin ; M.S. Park ; Y.S. Jang
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France.  pp.1007-1010,  2015.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 821-823
8.

国際会議録
国際会議録
8. Quality Improvement of 4″ 4H-SiC Crystal by Using Modified Seed Adhesion Method
J.W. Choi ; J.H. Park ; J.D. Seo ; J.G. Kim ; M.O. Kyun ; K.R. Ku ; H.J. Kim ; D.H. Lee ; Y.S. Jang ; W.J. Lee
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.11-14,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897