1.

国際会議録
国際会議録
1. COMPARISON OF THE GaAs LAYERS GROWN ON POROUS Si AND ON Si BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
Wu, B. J. ; Wang,, K. L. ; Mii, Y. J, ; Yoon, Y. S. ; Wu,. A. T. ; George,T., ; Weber, E.
出版情報: III-V heterostructures for electronic/photonic devices : symposium held April 24-27, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.343-348,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 145
2.

国際会議録
国際会議録
2. EPITAXIAL CoSi2/POROUS-SI STRAINED LAYER STRUCTURES GROWN BY MBE
Kao, Y. C. ; Jamieson, D. ; Bai, G., ; Nieh, C. W. ; Lin, T. L. ; Wu, B. J. ; Chen, H. Y. ; Wang, K. L.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon II : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.473-478,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 91