1.

国際会議録
国際会議録
1. Zinc Diffusion in Gallium Antiuonide
Conibeer,G.J. ; Willoughby,A.F.W. ; Hardingham,C.M. ; Sharma,V.K.M.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.3  pp.1427-1432,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
2.

国際会議録
国際会議録
2. Dopant Diffusion in Strained and Relaxed Si1-xGex
Paine,A.D.N. ; Morooka,M. ; Willoughby,A.F.W. ; Bonar,J.M. ; Phillips,P. ; Dowsett,M.G. ; Cooke,G.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.345-348,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201
3.

国際会議録
国際会議録
3. DLTS of Recombination Centers in Semiconductors
Markvart,T. ; Parton,D.P. ; Peters,J.W. ; Willoughby,A.F.W.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.3  pp.1381-1385,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147