1.

国際会議録
国際会議録
1. Tantalum-Ruthenium Diffusion Barriers for Contacts to SiC
Wang, S.H. ; Arnold, O. ; Eichfeld, C.M. ; Mohney, S.E. ; Adedeji, A.V. ; Williams, J.R.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.883-886,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Composite Ohmic Contacts to SiC
Adedeji, A.V. ; Ahyi, A.C. ; Williams, J.R. ; Bozack, M.J. ; Mohney, S.E. ; Liu, B. ; Scofleld, J.D.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.879-882,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Ohmic Contacts to P-Type Epitexial and Imlanted 4H-SiC
Crofton, J. ; Williams, J.R. ; Adedeji, A.V. ; Scofield, J.D. ; Dhar, S. ; Feldman, L.C. ; Bozack, M.J.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.895-898,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Nitrogen and Hydrogen Induced Trap Passivation at the SiO2/4H-SiC Interface
Dhar, S. ; Wang, S.R. ; Ahyi, A.C. ; Isaacs-Smith, T. ; Pantelides, S.T. ; Williams, J.R. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.949-954,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
国際会議録
5. Compositional and Electrical Differences of SiO2/SiC and SiO2/Si Structures Upon Thermal Annealing in N2O and NO
Stedile, F.C. ; Radtke, C. ; Baumvol, I.J.R. ; Boudinov, H. ; McDonald, K. ; Huang, M.B. ; Weller, R.A. ; Feldman, L.C. ; Williams, J.R.
出版情報: The physics and chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface-4, 2000 : proceedings of the fourth International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Tronto, Canada, May 15-18, 2000.  pp.169-180,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-2
6.

国際会議録
国際会議録
6. Nitrogen Content and Interface Trap Reduction in SiO2/4H-SiC
McDonald, K. ; Weller, R.A. ; Pantelides, S.T. ; Feldman, L.C. ; Chung, G.Y ; Tin, C.C. ; Williams, J.R.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.341-347,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
7.

国際会議録
国際会議録
7. High Temperature Reliability of SiC n-MOS Devices up to 630oC
Ghosh, R.N. ; Loloee, R. ; Isaacs-Smith, T. ; Williams, J.R.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1039-1042,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
8.

国際会議録
国際会議録
8. Gamma Irradiation Effects on 4H-SiC MOS Capacitors and MOSFETs
Ahyi, A.C. ; Wang, S.R. ; Williams, J.R.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1063-1066,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
9.

国際会議録
国際会議録
9. Passivation of the 4H-SiC/SiO2 Interface with Nitric Oxide
Williams, J.R. ; Chung, G.Y. ; Tin, C.C. ; McDonald, K. ; Farmer, D. ; Chanana, R.K. ; Weller, R.A. ; Pantelides, S.T. ; Holland, O.W. ; Das, M.K. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.967-972,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
10.

国際会議録
国際会議録
10. High-Current, NO-Annealed Lateral 4H-SiC MOSFETs
Das, M.K. ; Chung, G.Y. ; Williams, J.R. ; Saks, N.S. ; Lipkin, L.A. ; Palmour, J.W.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.981-984,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393