1.

国際会議録
国際会議録
1. The Microstructure of GaN Nucleation Layers Grown by MOCVD on (1120)Sapphire Versus Pressure and Temperature
Wojtowicz, T. ; Ruterana, P. ; Twigg, M.E. ; Henry, R.L. ; Koleske, D.D. ; Wickenden, A.E.
出版情報: GaN and related alloys - 2003 : symposium held December 1-5, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.771-774,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 798
2.

国際会議録
国際会議録
2. High-Temperature Illumination-Induced Metastability in Undoped Semi-Insulating GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Fang, Z-Q. ; Claflin, B.B. ; Look, D.C. ; Myers, T.H. ; Koleske, D.D. ; Wickenden, A.E. ; Henry, R.L.
出版情報: GaN and related alloys - 2002 : symposium held December 2-6, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.749-754,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 743
3.

国際会議録
国際会議録
3. Effect of Growth Temperature on the Microstructure of the Nucleation Layers of GaN Grown by MOCVD on (1120) Sapphire
Wojtowicz, T. ; Ruterana, P. ; Twigg, M.E. ; Henry, R.L. ; Koleske, D.D. ; Wickenden, A.E.
出版情報: GaN and related alloys - 2002 : symposium held December 2-6, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.127-132,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 743
4.

国際会議録
国際会議録
4. Autocompensated surface structure of GaN film on sapphire
Sung, M.M. ; Ahn, J. ; Bykov, V. ; Koleske, D.D. ; Wickenden, A.E. ; Rabalais, J.W.
出版情報: Synthesis and characterization of advanced materials.  pp.26-38,  1998.  Washington, DC.  American Chemical Society
シリーズ名: ACS symposium series
シリーズ巻号: 681