1.

国際会議録
国際会議録
1. INFLUENCE OF STRUCTURAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF EXTENDED DEFECTS ON GaAs FIELD EFFECT TRANSISTORS
Van Hove, M. ; De Raedt, W. ; De Potter, M. ; Van Rossum, M. ; Weyher, J. L.
出版情報: Defects in electronic materials : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.457-462,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 104
2.

国際会議録
国際会議録
2. Shallow-Impurity-Related Photoluminescence in Homoepitaxial GaN
Kirilyuk, V. ; Zielinski, M. ; Christianen, P. C. M. ; Zauner, A. R. A. ; Weyher, J. L. ; Hageman, P.R. ; Larsen, P. K.
出版情報: GaN and related alloys - 2000 : symposium held November 27-December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 639
3.

国際会議録
国際会議録
3. Highly chemical reactive ion etching of gallium nitride
Karouta, F. ; Jacobs, B. ; Moerman, I. ; Jacobs, K. ; Weyher, J. L. ; Porowski, S. ; Crane, R. ; Hageman, P. R.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W11.76.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
4.

国際会議録
国際会議録
4. Homoepitaxial growth on misoriented GaN substrates by MOCVD
Zauner, A. R. A. ; Schermer, J. J. ; Enckevort, W. J. P. van ; Kirilyuk, V. ; Weyher, J. L. ; Grzegory, I. ; Hageman, P. R. ; Larsen, P. K.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W6.3.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595