1.

国際会議録
国際会議録
1. COMPARISON OF THE GaAs LAYERS GROWN ON POROUS Si AND ON Si BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
Wu, B. J. ; Wang,, K. L. ; Mii, Y. J, ; Yoon, Y. S. ; Wu,. A. T. ; George,T., ; Weber, E.
出版情報: III-V heterostructures for electronic/photonic devices : symposium held April 24-27, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.343-348,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 145
2.

国際会議録
国際会議録
2. *TRANSITION METAL IMPURITIES IN SILICON,
Weber, E. ; Wichi, Norbert
出版情報: Defects in semiconductors II : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.19-32,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 14
3.

国際会議録
国際会議録
3. STRUCTURE AND ELECTRONIC PROPERTIES OF MISFIT DISLOCATIONS IN ZnSe/GaAs(001) HETEROJUNCTIONS
Chen, Y. ; Liu, X. ; Weber, E. ; Bourret, E. D. ; Olego, D. J. ; Dorman, D. R. ; Gaines, J. M. ; Tasker, N. R. ; Liliental-Weber, Z. ; Haller, E. ; Washburn, J.
出版情報: Compound semiconductor epitaxy : symposium held April 4-7, 1994, San Francisco, California, U.S.A..  pp.491-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 340