1.

国際会議録
国際会議録
1. Consideration of the semiconductor thickness effect on the electron effective mobility in the GAA SOI transistor
Majkusiak, B. ; Walczak, J. ; Janik, T.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.301-306,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
2.

国際会議録
国際会議録
2. Modeling of Coulomb scattering of electrons in ultrathin 355 symmetrical DG SOI transistor
Walczak, J. ; Majkusiak, B.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.355-360,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
3.

国際会議録
国際会議録
3. Theoretical limit for the SiO2 thickness in silicon MOS devices
Majkusiak, B. ; Walczak, J.
出版情報: Science and technology of semiconductor-on-insulator structures and devices operating in a harsh environment.  pp.309-320,  2005.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 185