1.

国際会議録
国際会議録
1. Effects of the High-Refractive Index SiN Passivation on AlGaN/GaN HFETs With a Very Low Gate-Leakage Current
Kambayashi, Hiroshi ; Wada, Takahiro ; Ikeda, Nariaki ; Yoshida, Seikoh
出版情報: GaN, AlN, InN and related materials : symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.69-76,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 892
2.

国際会議録
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2. High Power AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode With 1000 V Operation
Yoshida, Seikoh ; Ikeda, Nariaki ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Kambayashi, Hiroshi ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN, AlN, InN and related materials : symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.63-68,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 892
3.

国際会議録
国際会議録
3. Real Time Composition Monitoring Methods in Physical Vapor Deposition of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films
Negami, Takayuki ; Nishitani, Mikihiko ; Kohara, Naoki ; Hashimoto, Yasuhiro ; Wada, Takahiro
出版情報: Thin films for photovoltaic and related device applications.  pp.267-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 426
4.

国際会議録
国際会議録
4. High Temperature Operation of a New Normally-Off AlGaN/GaN HFET on Si Substrate
Yoshida, Seikoh ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN and related alloys - 2003 : symposium held December 1-5, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.67-72,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 798
5.

国際会議録
国際会議録
5. AlGaN/GaN Field Effect Schottky Barrier Diode for a Low Loss Switching Device
Yoshida, Seikoh ; Ikeda, Nariaki ; Li, Jiang ; Hataya, Kohji ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.343-348,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831
6.

国際会議録
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6. Electrical Properties of GaN/Si Grown by MOCVD
Yoshida, Seikoh ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN and related alloys - 2002 : symposium held December 2-6, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.145-150,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 743