1.

国際会議録
国際会議録
1. Determination of the Coulomb Scattering Parameter (Alpha) for ALD HfO2/TiN Gate n and p-MOSFETs Using Negative Bias Temperature Stress
M. Adi Negara ; K. Cherkaoui ; P. Majhi ; W. Tsai ; D. Bauza
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.639-644,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Oxidation of Metallic Mn Thin Films Prepared in Butylmethylpyrrolidinium Bis(trifluoromethylsulfony)imide Ionic Liquid and the Pseudo-Capacitive Performance of the Anodized Oxides
J. Chang ; C. Huang ; W. Tsai ; I. Sun ; P. Chen
出版情報: Electrochemistry of Novel Electrode Materials for Energy Conversion and Storage.  pp.165-174,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(25)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Nano-Sized Carbon Materials Produced During the Metal Dusting Process of Stainless Steel and Their Hydrogen Storage Capability
J. Chang ; H. Tsai ; K. Lin ; W. Tsai ; C. Wang
出版情報: Hydrogen Production, Transport, and Storage 2.  pp.45-54,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(17)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Enhanced Ammonia (NH3) Sensing Response of UV-Light Treated Organic Thin-Film Transistors(OTFTs)
H. Zan ; W. Tsai ; Y. Wu ; K. Yen ; Y. Lo
出版情報: Chemical Sensors 8 : chemical (gas, ion ,bio) sensors and analytical systems.  pp.371-374,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(11)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Current Challenges in Ge MOS Technology
A. Dimoulas ; M. Houssa ; A. Ritenour ; J. Fompeyrine ; W. Tsai ; J. Seo ; Y. Panayiotatos ; P. Tsipas ; D. P. Brunco ; M. R. Caymax ; J. Locquet ; C. Dieker
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 2: new materials, processes, and equipment.  pp.371-384,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(2)