1.

国際会議録
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1. Optimization and Realization of Sub 100nm Channel Length Lateral Asymmetric Channel P-MOSFETS
Hemkar,M. ; Vasi,J. ; Rao,V.Ramgopal ; Cheng,B. ; Woo,J.C.S.
出版情報: Proceedings of the Tenth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (December 14-18, 1999).  Part1  pp.584-587,  2000.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3975
2.

国際会議録
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2. Ionizing-Radiation Induced Degradation of SiGe HBTs
Topkar,A. ; Lodha,S. ; Mahfooz,A.T. ; Vasi,J. ; Lal,R. ; Nanver,L.
出版情報: Proceedings of the Tenth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (December 14-18, 1999).  Part1  pp.659-662,  2000.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3975
3.

国際会議録
国際会議録
3. HOTMOS : A 2-D MOS Device Simulator for Hot Carrier Effects
Shaila Subbaraman ; Sharma,D.K. ; Vasi,J. ; Das,A.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 2  pp.1064-1067,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
4.

国際会議録
国際会議録
4. Low Dose Radiation Sensor for Medical Therapy Applications
Anil,K.G. ; Vasi,J. ; Lal,R.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 2  pp.1145-1148,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
5.

国際会議録
国際会議録
5. A New Technique to Profile Hot-Carrier Induced Interface State Generation in nMOSFETs using Charge Pumping
Mahapatra,S. ; Parikh,C.D. ; Vasi,J.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 2  pp.1030-1033,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
6.

国際会議録
国際会議録
6. Device Simulation for Radiation and Hot Carrier Effects
Sharma,D.K. ; Ekbote,S. ; Zaman,P ; Shaila Subbaraman ; Das,A. ; Vasi,J.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 2  pp.974-979,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
7.

国際会議録
国際会議録
7. Modelling and Characterization of Commercial CMOS IC's under radiation
Shanware,A. ; Godambe,N. ; Vasi,J. ; Chandorkar,A. ; Das,A.
出版情報: Semiconductor Devices.  pp.72-74,  1996.  Bellingham, WA, New Delhi.  SPIE-The International Society for Optical Engineering — Narosa
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 2733
8.

国際会議録
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8. ULSI MOS Transistors with Jet Vapour Deposited(JVD)Silicon Nitride for the Gate Insulator
Mahapatra,S. ; Manjularani,K.N. ; Rao,V.Ramgopal ; Vasi,J.
出版情報: Proceedings of the Tenth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (December 14-18, 1999).  Part2  pp.803-810,  2000.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3975
9.

国際会議録
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9. Radiation-Induced Degradation of Bipolar Transistors
Topkar,A. ; Mathew,T. ; Lal,R. ; Vasi,J. ; Nanver,L.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 1  pp.686-689,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
10.

国際会議録
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10. Simulation of Radiation Effects in MOSFETs
Ekbote,S. ; Tambe,D. ; Zaman,P. ; Dangat,H.K. ; Khare,M. ; Sinha,P. ; Rodd,S. ; Bukhanwala,N. ; Vasi,J. ; Sharma,D.K. ; Das,A.
出版情報: Semiconductor Devices.  pp.57-59,  1996.  Bellingham, WA, New Delhi.  SPIE-The International Society for Optical Engineering — Narosa
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 2733