1.

国際会議録
国際会議録
1. Dielectric Properties of (ZrxTi₁₋x)O₂ Film on Ru/Si0₂/Si Substrates Deposited by the Atomic Layer Deposition Using [Zr(OtBu)₄ + Ti(OtBu)₄] Cocktail Source
J. Lim ; K. Cho ; K. Kim ; C. Yoo ; S. Kim ; U. Chung ; J. Moon
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.153-160,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Low-k SiBN (Silicon Boron Nitride) Film Synthesized by a Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition
S. Yang ; J. Kim ; J. Noh ; H. Kim ; S. Lee ; J. Ahn ; K. Hwang ; Y. Shin ; U. Chung ; J. Moon ; D. Lee ; I. Yi ; R. Jung ; S. Kang
出版情報: Atomic layer deposition : at the 208th ECS Meeting, October 16-21, 2005, Los Angeles, California, USA.  pp.79-94,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(10)