1.

国際会議録
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1. *AN INTERFACIAL PHASE TRANSFORMATION IN CoSi2/Si (111)
Eaglesham, D.J. ; Tung, R.T. ; Headrick, R.L. ; Robinson, I.K. ; Schrey, F.
出版情報: Atomic scale structure of interfaces : symposium held November 27-29, 1989, Boston Massachusetts, U.S.A..  pp.141-146,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 159
2.

国際会議録
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2. GROWTH OF THIN EPITAXIAL CoSi2 LAYERS ON Si (100)
Yalisove, S.M. ; Tung, R.T. ; Batstone, J.L.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon : fundamentals, structure, and devices : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.439-446,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 116
3.

国際会議録
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3. SILICIDE AS DOPANT SOURCE: ULTRASHALLOW N AND P JUNCTIONS IN SILICON
Herner, S.B. ; Gossmann, H.-J. ; Tung, R.T. ; Gila, B.P.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1224-1231,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
4.

国際会議録
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4. The Effect of TiSi2 Film Thickness and Growth on the Point Defect Perturbance in Si
Hemer, S.B. ; Jones, K.S. ; Gossman, H.-J. ; Tung, R.T. ; Poate, J.M. ; Luftman, H.S.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.337-347,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-4
5.

国際会議録
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5. ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT STUDIES OF NICKEL SILICIDE/SILICON SCHOTTKY BARRIER HEIGHTS
Gibson, J.M. ; Joy, D.C. ; Tung, R.T. ; Ellison, J.L. ; Pimentel, C. ; Levi, A.F.J.
出版情報: Layered structures and epitaxy : symposium held December 2-4, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.163-170,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 56
6.

国際会議録
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6. GROWTH AND EPITAXIAL CoSi2 AND NiSi2 ON (111), (100) AND (110) Si AT ROOM TEMPERATURE
Tung, R.T. ; Schrey, F.
出版情報: Layered structures : heteroepitaxy, superlattices, strain, and metastability : symposium held November 27-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.243-248,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 160
7.

国際会議録
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7. *EPITAXIAL SILICIDES: A SUMMARY OF RECENT DEVELOPMENTS
Tung, R.T. ; Schrey, F.
出版情報: Interfacial structure, properties, and design : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.559-572,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 122
8.

国際会議録
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8. TOPOGRAPHY OF Si (111): CLEAN SURFACE PREPARATION AND SILICON MOLECULAR BEAM EPITAXY
Tung, R.T. ; Schrey, F. ; Eaglesham, D.J.
出版情報: Atomic scale structure of interfaces : symposium held November 27-29, 1989, Boston Massachusetts, U.S.A..  pp.321-326,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 159
9.

国際会議録
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9. RECONSTRUCTION OF (100) SILICON/DISILICIDE INTERFACES
Loretto, D. ; Gibson, J.M. ; White, Alice E. ; Short, K.T. ; Tung, R.T. ; Yalisove, S.M. ; Batstone, J.L.
出版情報: High resolution microscopy of materials : symposium held November 29-December 1, 1988, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.97-102,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 139
10.

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10. *ELECTRICAL PROPERTIES OF EPITAXIAL SILICIDE-SILICON INTERFACES
Tung, R.T. ; Levi, A.F.J. ; Gibson, J.M. ; Ng, K.K. ; Chantre, A.
出版情報: Thin films : interfaces and phenomena : symposium held December 2-6, 1985, Boston, Massachusetts, USA.  pp.457-468,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 54