1.

国際会議録
国際会議録
1. Si/SiO2 and SiC/SiO2 Interfaces for MOSFETs - Challenges and Advances
Pantelides, S.T. ; Wang, S. ; Franceschetti, A. ; Buczko, R. ; Di Ventra, M. ; Rashkeev, S.N. ; Tsetseris, L. ; Evans, M.H. ; Batyrev, I.G. ; Feldman, L.C. ; Dhar, S. ; McDonald, K. ; Weller, R.A. ; Schrimpf, R.D. ; Fleetwood, D.M.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.935-948,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Hydrogen Model for Negative Bias Temperature Instabilities in MOS Gate Dielectrics
Fleetwood, D.M. ; Zhou, X.J. ; Tsetseris, L. ; Pantelides, S.T. ; Schrimpf, R.D.
出版情報: Silicon nitride, silicon dioxide thin insulating films, and other emerging dieletrics VIII : proceedings of the international symposium.  pp.267-278,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-01
3.

国際会議録
国際会議録
3. Field-Induced Reactions of Water Molecules at Si-Dielectric Interfaces
Tsetseris, L. ; Zhou, X. ; Fleetwood, D. M. ; Schrimpf, R. D. ; Pantelides, S. T.
出版情報: Fundamentals of novel oxide/semiconductor interfaces : symposium held December 1-4, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.171-176,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 786