1.

国際会議録
国際会議録
1. Intrinsic Defects in High Purity Semi-Insulating 6H SiC
D. V. Savchenko ; E. N. Kalabukhova ; S. N. Lukin ; Tangali S. Sudarshan ; Yuri I. Khlebnikov ; William C. Mitchel ; S. Greulich-Weber
出版情報: Silicon carbide 2006--materials, processing and devices : symposium held April 18-20, 2006, San Francisco, California, U.S.A..  pp.219-224,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 911
2.

国際会議録
国際会議録
2. Investigation of SiO₂ Cap for Al Implant Activation in 4H-SiC
Feng Zhao ; Mohammad M. Islam ; MVS Chandrasekhar ; Tangali S. Sudarshan ; Krishna C. Mandal
出版情報: Silicon Carbide 2010--materials, processing and devices : symposium held April 5-9, 2010, San Francisco, California.  pp.99-104,  2010.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1246