1.

国際会議録
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1. INVITED: HYDROGEN ANNEAL OF SILICON WAFER FORMATION OF HIGH QUALITY DEVICE ACTIVE LAYER
Matsushita, Y. ; Sanada, M. ; Tanabe, A. ; Takeda, R. ; Shimaoi, N. ; Kobayashi, K.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.683-697,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
2.

国際会議録
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2. REACTIVE DEPOSITION OF a-SILICON AND Si-BASED ALLOYS
Hanna, J. ; Oda, S. ; Shirai, H. ; Miyauchi, A. ; Tanabe, A. ; Fukuda, K. ; Ohtoshi, T. ; Tokuhiro, O. ; Nguyen, H. ; Shimizu, I.
出版情報: Materials issues in amorphous-semiconductor technology : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.11-24,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 70
3.

国際会議録
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3. (3.1) 3:20 - 3:50 PM - Strained-Si/SiGe-on-Insulator CMOS Technology as a Platform of Device Performance Boosters (Invited)
Takagi, S. ; Mizuno, T. ; Tezuka, T ; Sugiyama, N. ; Numata, T. ; Usuda, K. ; Moriyama, Y. ; Nakaharai, S. ; Koga, J. ; Tanabe, A. ; Hirashita, N. ; Irisawa, T. ; Maeda, T.(MIRAI-AIST)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.61-76,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
4.

国際会議録
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4. (6.4) 11:55 - 12:15 PM - Ge Diffusion Effect on Low Frequency Noise in Ultra-thin Strained-SOI CMOS
Tanabe, A. ; Numata, T. ; Mizuno, T. ; Maeda, T. ; Takagi, S. (MIRAI)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.483-492,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
5.

国際会議録
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5. High performance strained-SOl CMOSFETs
Takagi, S-I. ; Mizuno, T. ; Tezuka, T. ; Sugiyama, N ; Numata, T. ; Usuda, K. ; Monyama, Y. ; Nakaharai, S. ; Koga, J. ; Tanabe, A. ; Maeda, T.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.159-174,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
6.

国際会議録
国際会議録
6. 60-nm gate length SOI CMOS technology optimised for 'System-on-a-SOI-chip' solution
Imai, K. ; Maruyama, S. ; Suzuld, T. ; Kudo, T. ; Miyake, S. ; Ikeda, M. ; Abe, T. ; Masuda, S. ; Tanabe, A. ; Lee, J-W. ; Shibahara, K. ; Yokoyania, S. ; Qoka, H.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.149-158,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
7.

国際会議録
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7. 60-nm Gate Length SOI CMOS Technology Optimized for 'System-on-a- SOI-Chip' Solution*
Imai, K. ; Maruyama, S. ; Suzuki, T. ; Kudo, T. ; Miyake, S. ; Ikeda, M. ; Abe, T. ; Masuda, S. ; Tanabe, A. ; Lee, J.-W. ; Shibahara, K. ; Yokoyama, S. ; Ooka, H.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.493-502,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-6
8.

国際会議録
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8. High Performance Strained-SOI CMOSFETs*
Takagi, S.-I. ; Mizuno, T. ; Tezuka, T. ; Sugiyania, N. ; Numata, T. ; Usuda, K. ; Moriyama, Y. ; Nakaharai, S. ; Koga, J. ; Tanabe, A. ; Macda, T.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.518-533,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-6
9.

国際会議録
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9. On the Influence of Illumination During Ion Damage Defect Anneal of Silicon
Tanabe, A. ; Ashok, S.
出版情報: Ion-solid interactions for materials modification and processing : symposium held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.709-,  1996.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 396