1.

国際会議録
国際会議録
1. High Power AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode With 1000 V Operation
Yoshida, Seikoh ; Ikeda, Nariaki ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Kambayashi, Hiroshi ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN, AlN, InN and related materials : symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.63-68,  2006.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 892
2.

国際会議録
国際会議録
2. High Temperature Operation of a New Normally-Off AlGaN/GaN HFET on Si Substrate
Yoshida, Seikoh ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN and related alloys - 2003 : symposium held December 1-5, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.67-72,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 798
3.

国際会議録
国際会議録
3. AlGaN/GaN Field Effect Schottky Barrier Diode for a Low Loss Switching Device
Yoshida, Seikoh ; Ikeda, Nariaki ; Li, Jiang ; Hataya, Kohji ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.343-348,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831
4.

国際会議録
国際会議録
4. Electrical Properties of GaN/Si Grown by MOCVD
Yoshida, Seikoh ; Li, Jiang ; Wada, Takahiro ; Takehara, Hironari
出版情報: GaN and related alloys - 2002 : symposium held December 2-6, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.145-150,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 743