1.

国際会議録
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1. Performance of Single Cells with Anode Functional Layer based on Ni-YSZ, ScSZ and SDC for IT-SOFCs
J. Park ; S. Yang ; T. Lee ; T. Park ; Y. Yoo
出版情報: Solid oxide fuel cells 10 (SOFC-X).  pp.713-718,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 7(1)
2.

国際会議録
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2. Influence of an In-Situ Formed Interfacial SINx Layer on the Electrical Performance and Thermal Stability of High-k HfO₂ Films
S. H. Hong ; J. Kim ; T. Park ; J. Won ; R. Jung ; S. Kim ; C. Hwang ; M. J. Cho
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.257-268,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Improvement in Thermal Stability of MOCVD HfO₂ Films Using an ALD SiNx Interfacial Layer
H. J. Jang ; S. H. Hong ; T. Park ; J. Heo ; S. Yang ; M. Kim ; C. Hwang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.393-398,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Influence of Deposition Temperature of Atomic-Layer-Deposited HfO₂ Films on Interfacial Chemical Structure and Interface Trap Density
J. Kim ; T. Park ; C. Hwang ; S. H. Hong ; M. Seo
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.419-424,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Correlation Between High-K Properties and Interfacial Chemical Structure of ALD HhO2 Thin Films on Si, Sil-xGex and Ge Substrates
T. Park ; J. Kim ; J. Jang ; M. Seo ; C. Hwang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.111-120,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
6.

国際会議録
国際会議録
6. The Improvement in Dielectric Characteristics and Reliability of Atomic-Layer-Deposited HfO₂ Thin Films by In-Situ NH₃ Injection
J. Kim ; T. Park ; M. Cho ; M. Seo ; J. Jang ; C. Hwang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.435-440,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
7.

国際会議録
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7. Electrical and Structural Properties of High-K HfO₂ on Si₁₋x Gex Substrates
C. Hwang ; T. Park ; J. Kim ; S. H. Hong ; M. Seo ; J. H. Jang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.3-8,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Comparison of Electrical and Structural Properties of HfO2 Thin Films on Strained and Relaxed Si1-xGex
T. Park ; J. Kim ; C. Hwang
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.1223-1228,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
9.

国際会議録
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9. Crystallization and Wet Etching Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO₂ Films Using Hf[N(CH₃)(C₂H₅)]₃[OC(CH₃)₃]) Precursor and O₃ Oxidant
M. Seo ; S. Kim ; K. Kim ; T. Park ; J. Kim ; C. Hwang ; H. Cho
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.211-218,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)