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検索結果:
4
件
1.
国際会議録
国際会議録
1.
Uniaxially Strained Si/SiGe Wire-Channel Transistors
T. Tezuka ; T. Irisawa ; E. Toyoda ; N. Sugiyama ; S. Takagi
出版情報:
Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 4 : new materials, processes and equipment
. pp.263-274, 2008. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
13(1)
2.
国際会議録
国際会議録
2.
Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels
S. Takagi ; T. Irisawa ; T. Tezuka ; S. Nakaharai ; T. Numata
出版情報:
ULSI process integration 5
. pp.61-74, 2007. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
11(6)
3.
国際会議録
国際会議録
3.
Ge Condensation Technologies for Advanced MOSFETs on SGOI and GOI Substrates
N. Sugiyama ; T. Tezuka ; T. Irisawa ; K. Usuda ; Y. Moriyama
出版情報:
SiGe and Ge, materials, processing, and devices
. pp.1015-1022, 2006. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
3(7)
4.
国際会議録
国際会議録
4.
Uniaxially Strained SGOI and SSOI Channels for High Performance Multi-Gate CMOS
T. Irisawa ; T. Numata ; T. Tezuka ; K. Usuda ; N. Hirashita
出版情報:
SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices
. pp.367-379, 2008. Pennington, NJ. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
16(10)
しぼり込み条件:
著者名: T. Irisawa
言語
英語
(4)
発行年
2000-2009
(4)
資料種別
国際会議録
(4)
著者名
T. Tezuka
(4)
K. Usuda
(2)
N. Sugiyama
(2)
S. Takagi
(2)
T. Numata
(2)
さらに…
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