1.

国際会議録
国際会議録
1. CHARACTERIZATION OF AIxGa1-XN GROWN BY MOCVD AT LOW TEMPRATURES
Yu, Z.J. ; Sywe, B.S. ; Edgar, J.H.
出版情報: Wide band gap semiconductors : symposium held December 2-6, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.421-426,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 242
2.

国際会議録
国際会議録
2. Epitaxial Growth of SiC on Sapphire Substrates With an AIN Buffer Layer
Edgar, J.H. ; Sywe, B.S. ; Yu, Z.J. ; Burckhard, S.R. ; Chaudhuri, J.
出版情報: Proceedings of the Twelfth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.214-220,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-2
3.

国際会議録
国際会議録
3. GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LAYERED STRUCTURES OF SILICON CARBIDE AND ALUMINUM NITRIDE
Sywe, B.S. ; Yu, Z.J. ; Edgar, J.H. ; Chaudhuri, J.
出版情報: Semiconductor heterostructures for photonic and electronic applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.787-792,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 281