1.

国際会議録
国際会議録
1. Hydride vapour phase homoepitaxial growth of GaN on MOCVD-Grown 'Templates'
Paskova, T. ; Tungasmita, S. ; Valcheva, E. ; Svedberg, E. B. ; Arnaudov, B. ; Evtimova, S. ; Persson, P. A. ; Henry, A. ; Beccard, R. ; Heuken, M. ; Monemar, B.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W3.14.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
2.

国際会議録
国際会議録
2. Domain Structure of Thick GaN Layers Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Paskova, T. ; Svedberg, E. B. ; Madsen, L. D. ; Yakimova, R. ; Ivanov, I. G. ; Henry, A. ; Monemar, B.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.16.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
3.

国際会議録
国際会議録
3. Al/Si Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC for Power Devices
Kassamakova, L. ; Kakanakov, R. ; Kassamakov, I. ; Nordell, N. ; Savage, S. ; Svedberg, E. B. ; Madsen, L. D.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1009-1012,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)