1.

国際会議録
国際会議録
1. Growth of Thick Epitaxial 4H-SiC Layers by Chemical Vapor Deposition
Kordina,O. ; Irvine,K. ; Sumakeris,J. ; Kong,H.S. ; Paisley,M.J. ; ,C.H.Carter,Jr.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.107-110,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
2.

国際会議録
国際会議録
2. Silicon Carbide MESFET's for High-Power S-Band Applications
Allen,S.T. ; Sadler,R.A. ; Alcorn,T.S. ; Sumakeris,J. ; Glass,R.C. ; C.H.Carter,Jr ; Palmour,J.W.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part2  pp.953-956,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268