1.

国際会議録
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1. FIRST PRINCIPLE CALCULATIONS FOR NITROGEN- VACANCY RELATED DEFECTS IN NITROGEN DOPED SILICON; STRUCTURE, ENERGETICS AND THERMAL STABILITY
Karoui, A. ; Karoui, F.S. ; Rozgonyi, G.A. ; Hourai, M. ; Sueoka, K.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.670-681,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
2.

国際会議録
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2. COMPUTER SIMULATION FOR MORPHOLOGY, SIZE AND DENSITY OF OXIDE PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON
Sueoka, K. ; Akatsuka, M. ; Okui, M. ; Katahama, H.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.540-553,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
3.

国際会議録
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3. CALCULATION OF SIZE DISTRIBUTION OF VOID DEFECT IN CZOCHRALSKI SILICON
Akatsuka, M. ; Okui, M. ; Umeno, S. ; Sueoka, K.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.517-527,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
4.

国際会議録
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4. CALCULATION OF SLIP LENGTH IN 300 mm SILICON WAFERS DURING THERMAL PROCESSES
Akatsuka, M. ; Sueoka, K. ; Katahama, H. ; Adachi, N.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.671-682,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
5.

国際会議録
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5. MORPHOLOGY CHANGE OF OXIDE PRECIPITATES IN CZ SILICON DURING TWO-STEP ANNEALING
Sueoka, K. ; Ikeda, N. ; Yamamoto, T. ; Kobayashi, S.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.732-743,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
6.

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6. EFFECT OF HEAVY BORON DOPING ON OXIDE PRECIPITATE GROWTH IN CZOCHRALSKI SILICON
Ono, T. ; Asayama, E. ; Horie, H. ; Hourai, M. ; Sueoka, K. ; Tsuya, H. ; Rozgonyi, G.A.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1113-1125,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
7.

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7. Oxygen Precipitation Behavior and its Optimum Condition for Internal Gettenng and Mechanical Strength in Epitaxial and Polished Silicon Wafers *
Sueoka, K. ; Akatsuka, M. ; Onno, T. ; Asayama, E. ; Koike, Y. ; Adachi, N. ; Sadamitsu, S. ; Katahama, H.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.164-179,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
8.

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8. Modeling of Internal Gettering for Metal Impurities by Oxide Precipitates in CZ-Si Wafer
Sueoka, K.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.176-187,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
9.

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9. FIRST PRINCIPLE CALCULATIONS FOR NITROGEN- VACANCY RELATED DEFECTS IN NITROGEN DOPED SILICON; STRUCTURE, ENERGETICS AND THERMAL STABILITY
Karoui, A. ; Karoui, F.S. ; Rozgonyi, G.A. ; Hourai, M. ; Sueoka, K.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.670-681,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
10.

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10. COMPUTER SIMULATION FOR MORPHOLOGY, SIZE AND DENSITY OF OXIDE PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON
Sueoka, K. ; Akatsuka, M. ; Okui, M. ; Katahama, H.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.540-553,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2