1.

国際会議録
国際会議録
1. Influence of Electron Irradiation Induced Defects on the Current-Voltage Characteristics of a Resonant Tunneling Diode
Grandidier,B. ; Stievenard,D. ; Deresmes,D. ; Vanbcsien,O. ; Lippens,D. ; Lorriaux,J.L. ; Zazoui,M.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.3  pp.1553-1558,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
2.

国際会議録
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2. Re-examination of the configuration coordinate diagram of EL2
Goguenheim,D. ; Stievenard,D. ; Guillot,G.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.2  pp.917-922,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
3.

国際会議録
国際会議録
3. Intrinsic defects in electron irradiated p-type GaAs
Jia,Y.Q. ; Bardeleben,H.J.von ; Stievenard,D. ; Delerue,C.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.2  pp.965-970,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
4.

国際会議録
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4. Energy levels associated with the metastable state of EL2
Stievenard,D. ; Delerue,C. ; Bremond,G. ; Guillot,G. ; Azoulay,R. ; Bardeleben,H.J.von ; Bourgoin,J.C. ; Portal,J.C. ; Ranz,E.
出版情報: Proceedings of the 16th International Conference on Defects in Semiconductors : Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania, 22-26 July 1991.  Pt.2  pp.911-916,  1992.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 83-87
5.

国際会議録
国際会議録
5. The Electron Irradiation Induced Defect E1,E2 in GaAs:Arsenic Frenkel Pair Versus Displaced Arsenic Antisite Model
Bardeleben,H.J.von ; Delerue,C. ; Stievenard,D.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.223-228,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
6.

国際会議録
国際会議録
6. Spin Dependent Recombination:an Improved Theory Applied to Deep Centers in Silicon
Lannoo,M. ; Stievenard,D. ; Deresmes,D. ; Vuillaume,D.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.3  pp.1359-1364,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
7.

国際会議録
国際会議録
7. Defects in Heterostructures and Superlattices
Stievenard,D. ; Feng,S.L.
出版情報: Proceedings of the 15th International Conference on Defects in Semiconductors : Budapest, Hungary, August 22-26, 1988.  Part2  pp.679-688,  1989.  Aederlmannsdorf, Switzwelns.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 38-41
8.

国際会議録
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8. Evidence for an Assisted Defect Mechanism Leading to a Reduced Apparent Band Offset
Stievenard,D. ; Letartre,X. ; Lannoo,M. ; Abou,S. ; Guillot,G.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.587-592,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
9.

国際会議録
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9. Electrical Characterization of Surface Defects on Porous p-type Silicon
Cadet,C. ; Deresmes,D. ; Vuillaume,D. ; Stievenard,D. ; Grosman,A. ; Ortega,C. ; Siejka,J. ; Bardeleben,H.J.von
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.3  pp.1475-1480,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
10.

国際会議録
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10. Detection Of Defects Responsible for Lifetime in p-Type Si
Zazoui,M. ; Bourgoin,J.C. ; Stievenard,D. ; Deresmes,D.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.189-194,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147